IT之家1月21日消息，华硕ROG官方今日展示了其NitroPathDRAM技术，可以理解为重新设计主板上内存插槽根部固定结构设计，从而提高内存信号完整性以及内存OC超频性能。
IT之家查询发现，ROGCrosshairX870EHero和ROGStrixX870E-EGamingWiFi目前已经支持这项技术，官方标称内存条固定力度增加57%，超频性能提高400MT/s。
同时，新型插槽比传统插槽设计更耐磨，对于可能需要时不时升级或更换内存的发烧友来说算是一种额外卖点。
对于这项功能，我们需要稍微了解一点电气工程知识。简单来说，现代DIMM采用了采用288pin针脚，这意味着DIMM上有288个“金手指”焊盘需要与DRAM插槽中的288个针脚接触。
华硕这里采用了各种策略，包括PCB材料搭配、优化走线布局、精密焊接等手段，从而最大限度地减少信号反射和干扰，从而确保性能稳定。
在传统DRAM插槽中，每个针脚都有一部分“残余”，也就是从接触点向上延伸而出的部分。此残余通过确保用户不会因将金手指插入金属走线的尖端而刮伤内存模块来保护内存模块。但是这些残余也会导致信号反射和干扰。
华硕表示，在正常的DDR5速度下，这些残余引起的反射是可控的，但是当内存速度提高到8000MT/s以上时，它所产生的影响就会越来明显。
华硕NitroPathDRAM技术采用了一种新的针脚布局方法，他们不再让针脚从DIMM向上延伸，而是将针脚向内折叠，同时仍确保尖锐边缘不会与金手指接触。这一方面可使得残余长度缩短约70%，而且无需对DIMM结构进行调整，搭配现有内存也可以正常使用。
华硕内部测试表明，NitroPathDRAM技术对具有四个DIMM插槽的主板影响最大，而只有两个DIMM插槽的型号内存性能本身已经足够优秀，因此其收益并不大。
