凌晨喜讯！我国第四代半导体实现晶体制备技术突围 或改写全球产业格局 !
2月13日凌晨，中科院半导体所联合华为海思宣布，在氧化镓晶体生长领域取得突破性进展——成功制备6英寸高质量单晶衬底，良品率达国际领先水平。该技术攻克了第四代半导体量产核心瓶颈，可使新能源汽车芯片耐压值提升3倍，功耗降低60%。
据悉，研发团队创新性采用“气态微熔控制法”，突破日本技术专利壁垒。产业分析师指出，此举标志着我国在超宽禁带半导体赛道实现“换道超车”，预计2025年末将建成首条8英寸氧化镓晶圆产线。美日韩相关企业股价早盘集体下挫。
专家快评：
“就像当年高铁技术逆袭，这次是半导体领域的‘觉醒时刻’！”
