IT之家2月15日消息，TechInsights和SemiWiki于2月10日发布博文，披露了英特尔Intel18A（1.8nm级别）和台积电N2（2nm级别）工艺上的关键信息。整体而言，Intel18A工艺在性能方面更胜一筹，而台积电的N2工艺则可能在晶体管密度方面更具优势。
TechInsights的分析显示，台积电N2工艺的高密度(HD)标准单元晶体管密度达到了313MTr/mm^2，远超Intel18A(238MTr/mm^2)和三星SF2/SF3P(231MTr/mm^2)。
IT之家注：现代高性能处理器通常混合使用高密度(HD)、高性能(HP)和低功耗(LP)标准单元，但目前尚不清楚英特尔和台积电的HP和LP标准单元的性能对比情况。
TechInsights认为，台积电N2工艺在HD标准单元上具有晶体管密度优势，但在其他类型的标准单元上优势可能并不明显；在性能方面，英特尔的Intel18A工艺将领先于台积电的N2和三星的SF2。
但需要注意的是，TechInsights的评估方法存在一定争议，他们以台积电的N16FF和三星的14nm工艺作为基准，并结合两家公司宣布的节点到节点的性能改进进行预测，这种方式可能不够准确。
Intel18A工艺支持PowerVia背面供电网络，这可能使其在性能和晶体管密度方面优于不支持该技术的台积电N2，但并非所有18A芯片都会使用PowerVia技术。
英特尔计划于2025年年中开始量产18A工艺，首批产品将是CoreUltra3系列“PantherLake”处理器。
台积电的N2工艺预计将于2025年底开始大规模生产，首批产品预计最早将于2026年年中上市，大众市场产品预计将于2026年秋季上市。三星尚未公布SF2工艺的具体量产时间，仅表示将在2025年。
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