IT之家2月24日消息，据韩媒SEDaily在IEEEISSCC2025国际固态电路会议现场的采访，三星电子在本次会议上公布了其HBM内存路线图，分享了预设的性能参数目标：
在三星眼中，HBM4E相较HBM4的两大变化是引入32GbDRAM裸片和将每引脚速率提升至10Gbps：前者可在16Hi堆叠时将单堆栈容量扩展至64GB，而后者意味着HBM4E的整体带宽将达HBM4的1.25倍。
下游应用方面，HBM4E内存有望被英伟达2027年推出的RubinUltraAIGPU采用。RubinUltra支持12个HBM4(E)堆栈，这意味着单加速器内存容量有望达到惊人的768GB。
