2月24日消息，据韩国媒体报道，在IEEEISSCC2025国际固态电路会议的采访中，三星电子公开了其HBM内存的发展规划，并详细介绍了未来性能参数的目标。
根据三星的规划，HBM4E相比HBM4将带来两大显著改进：一是引入32GbDRAM芯片，二是将每引脚的数据传输速率提升至10Gbps。其中，32GbDRAM芯片的应用使得在16层堆叠的情况下，单堆栈容量可以扩展到64GB；而每引脚速率的提升，则将使HBM4E的整体带宽达到HBM4的1.25倍。
在实际应用方面，HBM4E内存预计将在2027年由一家全球领先的GPU厂商在其新一代AI处理器中采用。据悉，这款名为RubinUltra的AIGPU将支持12个HBM4（E）堆栈配置，这意味着单个加速器的内存容量有望达到惊人的768GB，为高性能计算和人工智能应用提供更强大的支持。
