近日有消息指出，SK海力士正在积极推进新一代低功耗内存LPDDR5M的研发工作。该内存的数据传输速率与现有的LPDDR5T保持一致，均为9.6Gbps，但在能效方面实现了显著提升。通过将工作电压从1.01-1.12V降低至0.98V，LPDDR5M的能耗效率提升了8%。这一改进使其特别适合应用于具备设备端人工智能功能的智能手机，能够有效降低运行复杂任务时的电量消耗，满足终端厂商对高性能和低功耗的需求。据业内人士预测，SK海力士有望在今年内正式推出LPDDR5M产品。
与此同时，SK海力士在高带宽内存（HBM）领域也取得了重要突破。目前，该公司已进入12层堆叠HBM4的试产阶段，并成功将良品率从去年底的60%提升至70%。这一成果得益于其采用的1β（b）nm（第五代10nm级别）工艺技术，该工艺不仅在性能上表现出色，还具有更高的稳定性，未来也将应用于HBM3E产品的生产中。按照计划，SK海力士预计于2025年6月向一家国际知名芯片厂商提供HBM4样品，以支持其新一代架构产品的需求。
此外，SK海力士计划在今年下半年推出首批12层堆叠的HBM4产品，并预计在2025年第三季度实现全面量产。这一系列举措将进一步巩固SK海力士在全球高端内存市场的竞争优势和技术领先地位。
