IT之家3月11日消息，美光（Micron）于今年2月向英特尔（Intel）和AMD等客户交付1γ（gamma）DDR5样品，成为内存行业中首家实现这一突破的企业。
韩媒chosun昨日（3月10日）发布博文，报道称美光在交付的样品中，其中只有一层使用极紫外光刻（EUV）设备，公司计划通过减少EUV的使用，来加速量产尖端DRAM。
IT之家援引博文介绍，美光选择减少对EUV的依赖，转而更多采用成熟的氩氟浸没式光刻（ArFi）工艺。
根据ASML的数据，下一代深紫外光刻（DUV）系统使用193纳米波长的氩氟激光，可实现38纳米特征尺寸的打印；而EUV光刻使用13.5纳米波长的光，精度更高，但成本也更高。
美光表示，EUV技术尚未完全稳定，因此仅在必要时使用，这一策略短期内可能提升量产速度，但长期来看，可能影响芯片的良率和性能。
与美光不同，三星和SK海力士在DRAM技术发展中更依赖EUV层。三星自2020年起在内存生产中采用EUV，计划在其第6代10纳米DRAM（1c）中应用超过5个EUV层。SK海力士也在2021年引入EUV设备，并计划在下一代1cDRAM中采用类似策略。
尽管美光减少对EUV的依赖可能短期内节省成本，但长期可能面临技术瓶颈。行业人士指出，ArFi工艺需要更多步骤，可能导致良率下降。随着EUV层数的增加，尤其是超过三层后，技术难度将显著加大。
