金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置”的专利，公开号CN119653775A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，实施方式提供一种半导体存储装置，适于提高动作的可靠性。根据实施方式，提供一种具有衬底、积层体、第1多晶半导体膜、及第1绝缘膜的半导体存储装置。积层体配置于衬底的上方。积层体介隔绝缘层积层多个导电层。第1多晶半导体膜在积层体内沿积层方向延伸。第1绝缘膜在积层体内，在多个导电层与第1多晶半导体膜之间沿积层方向延伸。第1多晶半导体膜包含第1部分与第2部分。第1部分对应于第1导电层。第1导电层是多个导电层中距衬底最远的导电层第2部分对应于2个以上的导电层。2个以上的导电层在多个导电层中配置于衬底与第1导电层之间。第1部分与第2部分的边界距衬底的高度为第1导电层的上表面距衬底的高度、与第2导电层的上表面距所述衬底的高度之间。第2导电层是2个以上的导电层中的距衬底最远的导电层。第1部分的粒径小于第2部分的粒径。
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