金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，德兴市意发功率半导体有限公司申请一项名为“一种分离栅沟槽MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN119653805A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种分离栅沟槽MOSFET器件的制备方法，包括以下步骤：1）选择带有N‑外延层的衬底，通过硬掩模在N‑外延层上光刻出一沟槽；2）去除掩模版，湿氧氧化形成第一氧化层；3）在第一氧化层上通过化学气相淀积一层多晶硅，而后经刻蚀，刻蚀掉多余的多晶硅，沟槽内所保留的剩余多晶硅为多晶硅Ⅰ；4）刻蚀掉多余的氧化层；5）进行第二多晶硅氧化层的生长，并进行栅回刻；6）在沟槽内再次通过化学气相淀积填充多晶硅栅并干法回刻至与N‑型外延层的上表面齐平即可。本发明的分离栅沟槽MOSFET器件，采用了分离栅结构，生产出的功率器件具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小栅漏电容和更高应用效率。
天眼查资料显示，德兴市意发功率半导体有限公司，成立于2018年，位于上饶市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3463.2994万人民币，实缴资本3463.2994万人民币。通过天眼查大数据分析，德兴市意发功率半导体有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可42个。
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