金融界2025年3月25日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法”的专利，公开号CN119666504A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及深度较大的孔隙样品，提供了一种采用聚焦离子束（FIB）制备孔隙样品观察底部结构的方法。该方法通过将离子减薄专用树脂填充入孔隙内部、引入改进的倒切技术等手段，解决了现有技术中制备样品时产生的孔隙结构变形、聚焦离子束对孔隙内部损伤大的问题，本发明的技术效果在于它能够提高孔隙样品底部结构的稳定性、避免减薄过程中对孔隙结构的损伤。
天眼查资料显示，湖北兴福电子材料股份有限公司，成立于2008年，位于宜昌市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本26000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目160次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息361条，此外企业还拥有行政许可275个。
本文源自：金融界
