IT之家3月26日消息，近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机PrimoTwin-Star®又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。
据介绍，这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一。
在200片硅片的重复性测试中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的测试晶圆，在左右两个反应台上各100片的平均刻蚀速度相差，各为每分钟0.9埃，1.5埃和1.0埃。两个反应台之间平均刻蚀速度的差别（≤0.09%），远小于一个反应台加工多片晶圆刻蚀速度的差别（≤0.9%）。
中微公司透露，CCP的双台机PrimoD-RIE®和PrimoAD-RIE®的加工精度，两个反应台的刻蚀重复性和在生产线上的重复性也早已达到和PrimoTwin-Star®相同的水平。在两个反应台各轮流加工1000片的重复性测试中，两个反应台的平均刻蚀速度相差，只有每分钟９埃，小于1.0纳米。
魔都风采
西方霸权的科技壁垒迟早被东方大国攻破，中微加油，中芯加油。
飛翔
科技强国不是梦
EGZZ
为国家自己技术做出重大贡献[点赞]
用户18xxx31
这么小的单位，是怎么测量的
来了 回复 03-27 21:34
用激光或红外线发射不同的区域，反射回来的时间就不同，换算成的就是距离差。
格格巫
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福禄寿喜
[微笑][微笑][微笑][微笑]
Mr_李林伟
芯片技术没有尽头，创新没有尽头