英伟达黄仁勋:GAA工艺或仅带来20%性能提升

IT之家 2025-03-27 20:00:38

IT之家3月27日消息,据EETimes报道,英伟达(Nvidia)首席执行官黄仁勋(JensenHuang)在近期GTC大会的一场问答环节中表示,依赖全环绕栅极(Gate-All-Around,GAA)晶体管的下一代制程技术可能会为公司处理器带来大约20%的性能提升。然而他同时强调,对于英伟达的GPU而言,最主要的性能飞跃源于公司自身的架构创新以及软件层面的突破。

当被问及未来几代英伟达GPU架构(如预计在两代后即2028年推出的费曼架构)时,黄仁勋提及,如果英伟达转向采用基于GAA晶体管的制程技术,应能实现约20%的性能增长。

据现场参会的分析师JarredWalton观察,黄仁勋似乎在刻意淡化制程节点更迭的重要性。他强调,随着摩尔定律的放缓,未来全新的制程技术在密度、功耗或能效方面可能仅带来20%左右的改进。需要指出的是,黄仁勋此番言论是在回应分析师关于英伟达是否可能采用三星代工(SamsungFoundry)的提问时作出的,并非是对未来选用何种节点的明确表态。

黄仁勋进一步指出,尽管领先制程技术带来的改进是受欢迎的——他表示“我们乐于接受(We'lltakeit)”,但这已不再是颠覆性的变革。他暗示,随着人工智能系统规模的不断扩大,高效管理海量处理器的能力,其重要性正日益超过单个处理器的原始性能。数据中心越来越关注“每瓦性能”,因为“我们正逼近物理学的极限”。

IT之家注意到,与苹果公司作为台积电所有尖端节点的首发(alpha)客户不同,英伟达通常不会率先采用台积电最新的制程技术,而是倾向于选用经过验证的成熟工艺。例如,英伟达当前的AdaLovelace、Hopper以及Blackwell系列GPU(面向消费级PC和数据中心),就采用了台积电4nm级别工艺的定制版本——4N和4NP。这些节点实际上属于台积电5nm级别的工艺开发套件(PDK),是5nm技术的精炼版。

展望未来,英伟达预计于明年发布的下一代AIGPU(代号“鲁宾”Rubin,搭配定制的VeraCPU),预计将采用台积电的3nm级别制程(推测为N3P或类似“3NP”的定制版本)。基于此,外界普遍预期英伟达将在2028年推出的“费曼”GPU上采用基于GAA的制程技术。

台积电自身对其首个GAA工艺节点N2的预期是,相较于其第二代3nm级工艺N3E(N3P的前代),性能提升幅度在10%至15%之间。对比来看,黄仁勋对GAA带来的20%提升预期似乎比台积电更为乐观。然而,考虑到英伟达近年来不采用(或至少多年未采用)第一代新工艺的策略,预计“费曼”GPU更可能采用N2的增强版N2P(提升性能、降低电阻并稳定供电)或甚至采用增加背面供电(backsidepowerdelivery)并承诺比N2提升8%-10%性能的A16工艺。N2P和A16均预计在2027年实现量产。

因此,如果英伟达在2028年的产品上选择采用N2P或A16工艺,那么预期其“费曼”GPU相比采用N3P工艺的“鲁宾”GPU获得20%的性能增益是合理的。

尽管英伟达已是当今领先的处理器开发者之一,黄仁勋多次强调,他的公司已不再仅仅是一家半导体公司。他将英伟达描述为一家大型人工智能基础设施提供商,同时也是算法开发的领导者,尤其在计算机图形学、机器人技术以及计算光刻等领域。

不过,虽然英伟达的业务重心已逐渐从单纯开发计算GPU转向AI服务器、服务器机架乃至集群,黄仁勋认为,英伟达并不一定与其客户直接竞争。据他所言,英伟达提供的是基础技术,而非为最终用户构建实际的解决方案。

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用户16xxx16

用户16xxx16

2025-03-29 12:47

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