IT之家4月18日消息，据韩媒《ChosunBiz》当地时间16日报道，三星电子在其4nm制程HBM4内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40%的良率，这高于一般的10%起点，也好于此前同制程产品的不足20%。
40%只是一个初期成绩，未来会随着芯片制造的成熟逐步提高。而该百分比显示4nmHBM4逻辑芯片的进一步开发有了较为稳定的基础。
三星电子在HBM3时期遭遇了重大挫折，将70%的HBM内存市场份额拱手送给主要竞争对手SK海力士，更是近年来首度让出了第一大DRAM原厂的宝座。这迫使三星在HBM4上采用较为激进的技术路线，以挽回局面。
三星电子将在12HiHBM4中采用1cnmDRAM内存芯片和4nm逻辑芯片，虽然逻辑芯片端的初始成绩较为喜人，但1cDRAM方面似乎遇到了一些问题。
另一家韩媒《DealSite》当地时间昨日报道称，自1znm时期开始出现的电容漏电问题正对三星1cnmDRAM的开发量产造成明显影响。三星试图通过适当放宽线宽等方式来改进电容器表现，但稳定性尚未达到预期水平，很可能会拖慢1cnm进度。
