IT之家4月28日消息，韩媒SEDaily援引业界消息报道称，三星电子内部已制定了在第7代10nm级DRAM内存工艺1dnm后即导入VCT垂直通道晶体管技术的路线图，相关产品有望最早于2~3年内面世。
据悉三星电子在1dnm后的下代DRAM工艺上曾考虑过1enm和VCTDRAM两种选择，最终选择了有望“改变游戏规则”的后者，并将1enm先行研究组织合并到1dnm团队中以推进1dnm的开发。
报道指出，VCTDRAM固然可通过对三维空间的有效利用大幅度提升存储密度，但这一技术也面临着巨大的开发难度：一方面，其需要跨越传统内存技术的壁垒；另一方面，该类型内存需要未在现有DRAM中应用的先进封装工艺。
另一方面，报道还称三星电子在DRAM业务中的最大竞争对手SK海力士目前的大致规划是1dnm->0anm->VGDRAM（IT之家注：SK海力士对3DDRAM的称呼）。
