在当今科技高速发展的时代，新材料的研发与应用无疑成为推动科技进步的重要引擎。以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高等特点，特别适合于制造高频、大功率、抗辐射、抗腐蚀的电子器件，成为了推动半导体行业革新的关键力量。

然而，碳化硅的高化学稳定性和高达9.2的莫氏硬度，使得传统的加工技术和设备在面对其时往往显得力不从心，加工效率极低，同时其高脆性、低断裂韧性的特点，又使其易在磨削加工过程中引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层，且产生较为严重的表面与亚表层损伤，这种损伤层不仅影响加工精度，而且还可能在后续热处理中扩散，影响电性能。

目前碳化硅单晶衬底的加工往往通过切片、研磨和抛光三个环节实现。切片作为SiC衬底加工的第一道工序，对后续晶圆制造至关重要，通常要求将碳化硅单晶切割成翘曲度小、良率高、厚度均匀且不超过1mm的晶片。由于切割过程会造成晶片表面的刀痕和损伤层，后续还需要进行研磨和抛光处理，研磨的主要目的是去除切割造成的表面缺陷和控制晶片厚度，而抛光提高晶片表面光洁度和平整度，主要采用化学机械抛光(CMP)方式，利用化学腐蚀和机械磨损协同作用，实现晶片表面的全局平坦化。

在上述加工环节中，衬底加工耗材直接与衬底表面质量、‌均匀性和一致性息息相关，直接影响到材料的表面质量和后续使用性能。因此，提供高效、平坦的加工耗材是碳化硅衬底加工必不可少的条件。作为泛半导体行业平坦化材料解决方案的资深提供商， 浙江博来纳润电子材料有限公司拥有十余年的专业经验，在碳化硅衬底的切、磨、抛耗材上形成了一套整体解决方案体系。

博来纳润的碳化硅衬底“切、磨、抛”耗材整体解决方案

8月25-26日，于无锡举办的“”上，浙江博来纳润电子材料有限公司的张泽芳博士将现场分享报告《碳化硅衬底加工切、磨、抛耗材整体解决方案》，如您想详细了解当前碳化硅衬底加工耗材的最新研究和应用进展，请点击文末会议详情并报名哦！

报告人介绍

张泽芳，浙江博来纳润电子材料有限公司董事长，中科院上海微系统与信息技术研究所博士，复旦大学博士后。先后荣获“上海市东方英才青年项目”、“上海产业菁英高层次人才：产业青年英才”、“山西省青年拔尖人才”等荣誉。拥有18余年的CMP材料的研发、产业化经验，主导研发的蓝宝石、硅片、碳化硅CMP磨料、抛光液和抛光垫，性能与国外同期进口产品持平，推动了CMP材料的国产化，填补了多项空白。近年来在国际及国内刊物上发表 CMP 相关论文 20 余篇，授权发明专利10余项。

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