ASML新一代的High-NA EUV光刻机虽然一直没有出货，但订单早就有了不少，基本都是来自于台积电、三星和Intel这三家芯片代工厂。和上一代EUV光刻机相比，新一代High-NA EUV光刻机的孔径为0.55，大家都将ASML新的EUV光刻机当做突破2nm工艺的希望，而现在ASML终于开始出货，而首个买家就是Intel。

事实上，Intel很早就公布了自己将会是ASML第一款购买High-NA EUV光刻机的买家，当时定的时间点是2023年下半年，算算时间现在交货也算正常。Intel之前曾经表示，首套High-NA EUV光刻机将用于学习如何在intel 18A 先进制程技术上工作，该制程技术有望使这家半导体大厂领先竞争对手台积电和三星。当然按照我们的角度来看，Intel的18A工艺大概就是3nm工艺，但性能和水准台积电和三星的2nm工艺接近。

ASML发言人表示，正在发货第一套High-NA EUV光刻机给Intel。该光刻机将从荷兰ASML 总部运往Intel俄勒冈州的晶圆厂中，并在未来几个月内进行安装。由于High-NA EUV光刻机体积非常大，需要13个巨大的货柜才能运输。而根据预估，每套High-NA EUV光刻机的成本约在3亿至4亿美元之间。

对于开始接收首套High-NA EUV光刻机，Intel预计从2025 年开始进行intel 18A制程技术的正式商业量产。由于配备0.55 NA透镜，High-NA EUV 光刻机可达成8nm的解析度，比配备0.33 NA 透镜、可提供13nm 解析度的标准EUV光刻机有显著提升。High-NA 技术预计将在2nm及更先进制程技术中发挥至关重要的作用。

对于Intel来说，成为首个High-NA EUV光刻机买家很关键。因为High-NA EUV光刻机与标准EUV光刻机之间存在许多差异，需要对基础设施进行大量修正。因此，领先竞争对手几个季度提前部署对Intel来说可能是一个巨大的优势。一方面，Intel将有充足的时间来调整其intel18A 制程技术；另一方面，该公司将为自己调整High-NA EUV光刻机的基础设施，这将使其相对于竞争对手具有更多的技术优势。

无论如何，有了最新的光刻机，芯片工艺肯定会继续提升了，Intel未来给别人代工也会有更多底气。台积电和三星得等到明年才会拿到ASML最新的High-NA EUV光刻机了，不过台积电客户众多，2nm技术又在发展中，应该不会太担心Intel在光刻机上的技术优势，毕竟3nm现在都还没完成成熟和普及。