导读：外媒：破解EUV光刻机束缚的“笨办法”来了！
在全球半导体产业的竞技场上，EUV光刻机一直被视为制造高端芯片的“皇冠上的明珠”。这一由荷兰ASML公司垄断的技术设备，集成了全球最顶尖的科技成果，需要10万个精密零部件和全球5000家供应商的协同合作才能制造出来。然而，近年来，中国半导体产业正以惊人的速度和决心，挑战这一技术垄断，努力摆脱EUV光刻机的束缚。
上海国际半导体展（SEMICON China 2025）成为了中国半导体产业崛起的一个缩影。在这场盛大的展会上，新凯来公司首次亮相的数十款国产半导体设备引起了业界的轰动。这些设备覆盖了半导体制造的全流程，从扩散、刻蚀到薄膜沉积，每一环节都展示了中国技术的实力和创新。其中，28nm浸没式光刻机SSA800i的工艺参数更是直追国际主流水平，让全球看到了中国光刻技术的飞速进步。
这一进步并非偶然，而是中国工程师们多年努力的结果。面对EUV光刻机的技术壁垒，中国工程师们并没有选择放弃，而是采取了“笨办法”——从基础做起，一步步攻克技术难关。他们深知，只有掌握了核心技术，才能在未来的竞争中立于不败之地。
在中国科学院的实验室里，科研人员们正在用“固态激光+涡旋光束”的组合拳打破行业定式。他们研发的全固态DUV光源，摒弃了沿用40年的氟化氩气体激发方案，改用Yb:YAG晶体生成1030nm基频光，再通过四次谐波转换生成193nm紫外光。这项技术不仅让设备体积缩小了30%、能耗降低了40%，更首创了193nm涡旋光束，为多重曝光工艺提供了新路径。这一突破性的成果，让全球首次意识到，中国光刻机的突围，远比外界想象的更迅猛。
然而，中国半导体产业的雄心并不仅限于DUV光刻机。在更尖端的EUV领域，中国也选择了一条颠覆性的技术路线。哈尔滨工业大学联合中科院研发的激光诱导放电等离子体（LDP）技术，为EUV光源的制造提供了全新的思路。这项技术通过电极间高压放电激发锡蒸气产生13.5nm极紫外光，简化了液滴发生器和高频激光器，提高了能源效率，降低了设备成本。更重要的是，这一技术完全规避了ASML的专利封锁，为中国半导体产业在EUV领域的自主发展奠定了坚实的基础。外媒也表示：破解EUV光刻机束缚的“笨办法”来了！
据TechPowerUp披露，搭载LDP光源的工程样机已在东莞进入测试阶段，计划2025年三季度试产，2026年实现量产。这一消息无疑给中国半导体产业注入了强心剂，也让全球看到了中国在EUV光刻机领域取得重大突破的可能性。
与此同时，中国半导体设备国产化率的不断提升，也为中国半导体产业的崛起提供了有力的支撑。2023年，国产半导体设备销售额同比增长40%至450亿元，光刻机市场规模预计以6%的年均增速扩张，2025年将突破300亿美元。这些数据不仅展示了中国半导体市场的巨大潜力，也反映了中国半导体产业在自主研发和替代进口方面的显著成效。
面对中国半导体产业的崛起，ASML等国际巨头也不得不调整策略。ASML试图通过出口1980Di型号DUV设备来延缓中国自主替代的进程，但这一举措显然无法阻挡中国半导体产业前进的步伐。因为中国已经掌握了越来越多的核心技术，形成了自己的产业链和生态系统。
综上所述，中国半导体产业的崛起并不是一蹴而就的，而是中国工程师们用“笨办法”一步步啃下来的。他们通过自主研发和创新，不断突破技术难关，逐渐摆脱了EUV光刻机的束缚。未来，随着中国半导体产业的持续发展和壮大，相信中国将在全球半导体产业中扮演更加重要的角色，为世界科技进步做出更大的贡献。
