EUV光刻机是生产制造7nm以下芯片的必要设备，但台积电却用DUV光刻机制造出来了7nm，并称其可以用于制造5nm芯片。

当然，并非所有DUV光刻机都可以用于7nm以下工艺，而是2000i及后续型号，也被称为主流DUV光刻机，是EUV光刻机的过渡产品。

美一直都想让ASML限制主流DUV光刻机出货，先是修改规则，后是游说。无果后，美日荷签订了三方协议，荷兰宣布将配合美进行相关半导体产品的出口管制。

但华为Mate60Pro开售后，ASML就宣布获得了批准，将持续向国内出货2000i等型号的光刻机。

那么，ASML持续出货主流DUV光刻机，国内能造出来5nm芯片么？这是很多人都关心的问题。

其实，这个答案是肯定的。

首先，14nm工艺芯片是最后一代真物理尺寸，只要掌握了14nm工艺，更先进的工艺都能逐渐突破，英特尔就是最好的例子。

英特尔一直都没有量产7nm工艺，却突然宣布2024年量产20A等工艺的芯片，并展示了一个装满基于20A制程工艺的ArrowLake测试芯片的晶圆。

中芯国际早就掌握了14nm工艺，良品率也达到了世界领先水准，还完成7nm研发任务，并生产了类似7nm工艺的N+1芯片等。

麒麟9000s芯片已经实现在国内制造，彭博社等称其接近或达到了7nm，这已经说明国内在更先进工艺方面已经取得突破，5nm自然不在话下。

其次，梁孟松曾公开表示，7nm研发任务已经完成，5nm最艰难的几项工作也已经展开，EUV光刻机到货后，就能够全面研发任务。

主流DUV光刻机是EUV光刻机过渡产品，也可以将芯片缩小至5nm，中芯国际已经获得了部分2000i等型号的光刻机，ASML又坚持出货2000i等型号的光刻机。

另外，无论是7nm还是5nm等芯片，都用在多重曝光工艺下完成，中芯国际早就掌握了多重曝光工艺，并且用多种曝光工艺量产了14nm、N+1等工艺的芯片。

再加上，麒麟9000s芯片的商用，这意味着国内厂商已经能够纯熟应用多重曝光工艺，又有了主流的DUV光刻机等设备，5nm等芯片自然不在话下。

最后，麒麟9000s芯片商用后，美就继续向国内出货更多芯片产品，除了最高端的产品，又再次要求ASML收紧主流DUV光刻机的出货范围。

再加上，台积电、三星、SK海力士等纷纷获得相关许可，这些举动都能够说明国内已经取得了突破，也将突破更先进的技术。

所以美一边加速向国内出货芯片等产品，一边收紧相关设备的出货，目的还是想切断相关供应链，让国内厂商更多依赖进口芯片。

但国内厂商已经不可能像过去那样依赖进口芯片，毕竟，进口芯片数量持续减少，华为芯片自给率都达到了70%。

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