我国在芯片领域的科研工作已经持续了很多年，几年之前国人对于芯片领域的突破信心倍增。
但解决一个问题需要耗费的时间有待商榷，显然北大国发院名誉院长林毅夫对于芯片制造的三年之约已经很难实现了。
林毅夫曾在二〇二一年五月份的一次演讲过程中说过这样一句话：“如果不把光刻机卖给中国，大概三年以后中国就会自己造出了”。
林毅夫的这句话引用了世界知名半导体企业ASML CEO在当时的观点。
如今三年之约已经过去了两年，我国芯片制造水平究竟发展到怎样的地步了呢？就让我们一起来看看吧。
我们都知道美方对我国施展的芯片制裁，华为手机在发展最辉煌的阶段突然销声匿迹，正是因为美方当局联合世界很多芯片制造发达的企业共同制裁华为的发展。
停止向华为提供微纳米芯片的供应，这才导致华为自麒麟9000以后再也没能推出过更加优秀的芯片。
参与制裁华为的企业也包括台积电，这在当时引起了国人的强烈不满。
美方首先找到的芯片合作伙伴就是荷方的ASLM公司，这家公司掌握着世界最顶尖的半导体制造技术，常年占据着全球市场的最高份额。
ASML的CEO曾公开表示，如果对我国展开半导体的制裁，我们国家将会在最短的时间内实现该领域技术的突破，
到了那个时候我国的生产成本会远低于世界生产水平，ASML的光环也将彻底消失。
不管ASML CEO的论述是客气还是真的害怕我们国家的科研水平，但有一点是可以肯定的，那就是我国在技术层面的突破是非常迅速的。
中国制造的威名也绝不是开玩笑的。也正因如此，林毅夫先生在公开演讲的过程中引用了ASML CEO的观点。
当时有很多网友都对林毅夫的观点非常支持，甚至没把芯片的制造当成什么太难的事情。
当时林毅夫用了这样一句话：“短则一两年、长则三五年都是有希望突破的”，可不管预测的时间究竟需要多久，我们国家能不能实现这个预测才是最关键的。
两年时间已经过去，距离林毅夫所说的“三年之约”仅剩最后一年时间。
我国在半导体领域究竟达到怎样的水平？距离赶超美荷等国家到底还需要多久？真实答案或许让我们感到失望。
首先我们要明确的一点是，芯片的制造并非单一的科研项目，而是一个非常复杂的科研流程，即便强如像ASML公司，也需要其他国家的先进技术来完成合作。
美方之所以能要求ASML公司联合制约我国，是因为美方正是ASML公司的最大股东。
目前芯片制造的各个领域的各项核心技术都需要我们逐一击破，未来的发展道路是非常严峻的。
我国目前所研究的光刻机是DUV浸没式光刻机技术，要知道这项技术是ASML公司15年之前的东西，也就是说仅仅是光刻机方面。
我们国家距离ASML最先进的EUV商用光刻机还存在15年的技术差距，足足拉开了我们3代的距离。
就算我们夜以继日的研究，只要不出现特殊的奇迹，没有个7/8年是很难实现目标的。
在我国有不少社会顶尖学者对于芯片制造的研发非常乐观，甚至给很多国人产生了一种“不叫事”的感觉，认为我国在该领域的突破势在必得。
之所以会出现这样的“盲目乐观”现象，主要问题在于很多的学者和教授对于产业的细化并不了解。
甚至将所有的技术问题全部归结成“半导体”或“芯片”，却忽略了中间需要突破的技术有多么困难。
美方颁布《芯片法案》以后，我国的芯片发展之路足以用困难重重来形容，过去没有这份法案的时候。
我们国家的芯片制造始终没有抬上日程，加紧芯片行业的研发也只是这几年发生的事情。
至于说“中国芯”还有多久才能实现，我们也只能在心里默默为科研学者加油打气，期待着芯片实现突破，彻底打破西方发达国家对我们的束缚。
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