BEUV技术：EUV光刻机后的新路线！

我们都知道，在过去的几十年里，芯片的制造过程，特别是光刻技术得到了很大的发展。光刻技术是一种利用光线在硅片上投影电路的基本设备。

同时，光刻工艺也直接影响到芯片的制作过程，进而影响到芯片的性能。

光刻技术，综合物理学，光学，精密仪器，高分子物理与化学，数学，材料，自动化，流体力学，高精密环境控制，软件等40多个专业领域。

于是，经过一轮又一轮的淘汰，全世界只剩下了 ASML，尼康，佳能，上海微电子。ASML是一家垄断企业，市场占有率高达90%。

然而，光刻技术从波长出发，从最早的波长435纳米、365纳米到248纳米、193纳米，再到如今的极紫外（13.5 nm）、紫外波段（193 nm）、紫外波段（EUV）。

光源确定后，第二步是增加投影光刻透镜的数值孔径 NA，因为较大的 NA值可以使更多的光线穿过透镜，获得更高的能量，从而更有效地控制和更高的分辨率。

第三个方面为减少光刻过程系数，此参数与光源及系统密切相关。

目前最先进的 EUV光刻技术，光源波长13.5纳米， NA0.55，难以进一步提高，即使实现，成本也很高。

同时， EUV光刻工艺系数已达0.25，这也是难以突破的理论极限，难以进一步提高 EUV光刻工艺。

所以 ASML之前就说，极紫外光刻技术很难进一步发展，原因是光刻过程的 NA因子已经到达了极限。

因此，未来光刻技术的进一步发展仍依赖于光源的波长，但是我们知道，波长是不断变化的，而光刻技术也是一代又一代的进步。

最初的升级主要是光源的升级，然后是各种光源的升级， NA驱动器的变化，以及光刻过程的变化。

在13.5 nm以后，波长会发生怎样的变化？科学家提出一种新的解决方法，称为 BEUV技术。

X纳米，比 EUV所用的13.5纳米要短，所以有更高的分辨率，更大的景深，以及更大的加工误差。

当采用6. Xnm波长时，也可对影响光刻过程的 NA值进行调整，使之适应新一轮的变化。

根据研究者们的预测，2035年后， BEUV光刻将取代 EUV光刻，芯片制造工艺将达到1 nm以下，只有 BEUV光刻可以胜任。

过去我们落后于世界先进光刻技术，再加上 BEUV技术，也不要急著先做准备，先让别的厂商先分类捆绑，再赶上全球水准，光刻技术才不至于卡在喉咙里，只等著看结果。