【锚思科技讯】随着三星努力将DDR6芯片推向市场，该公司在内存芯片开发方面取得了长足进步。最近新闻报道显示，这家韩国科技巨头计划采用改进的Semi-Additive Process（mSAP）封装技术来生产DDR6芯片。
三星副总裁高永光（Younggwan Ko）最近在水原举行的一次研讨会上表示，随着内存半导体的功能越来越强大，封装技术必须与之一同发展。将mSAP工艺应用于DDR6内存芯片将使三星能够制造出具有更精细电路的芯片。
据Ko称，三星的竞争对手已经为DDR5内存使用了mSAP，三星正在为DDR6使用这种封装技术。
与此同时，三星本周早些时候推出了首款24Gbps图形卡GDDR6 DRAM芯片。同时，该公司正处于DDR6开发的早期阶段（不要与GDDR6混淆）。根据去年的一份报告，它的DDR6设计可能在2024年完成。
DDR6的速度预计是DDR5的两倍，并且拥有两倍于DDR5的内存通道。DDR6可以在JEDEC模块上实现约12800Mbps的传输速率或17000Mbps的超频。
去年早些时候，三星宣布了世界上第一款DDR5-7200 512GB内存，其性能比DDR4解决方案高出40%。
