三星将使用mSAP技术实现更精细的DDR6电路

锚思科技网 2022-07-16 05:36:28

【锚思科技讯】随着三星努力将DDR6芯片推向市场,该公司在内存芯片开发方面取得了长足进步。最近新闻报道显示,这家韩国科技巨头计划采用改进的Semi-Additive Process(mSAP)封装技术来生产DDR6芯片。

三星副总裁高永光(Younggwan Ko)最近在水原举行的一次研讨会上表示,随着内存半导体的功能越来越强大,封装技术必须与之一同发展。将mSAP工艺应用于DDR6内存芯片将使三星能够制造出具有更精细电路的芯片。

据Ko称,三星的竞争对手已经为DDR5内存使用了mSAP,三星正在为DDR6使用这种封装技术。

与此同时,三星本周早些时候推出了首款24Gbps图形卡GDDR6 DRAM芯片。同时,该公司正处于DDR6开发的早期阶段(不要与GDDR6混淆)。根据去年的一份报告,它的DDR6设计可能在2024年完成。

DDR6的速度预计是DDR5的两倍,并且拥有两倍于DDR5的内存通道。DDR6可以在JEDEC模块上实现约12800Mbps的传输速率或17000Mbps的超频。

去年早些时候,三星宣布了世界上第一款DDR5-7200 512GB内存,其性能比DDR4解决方案高出40%。

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