台积电宣布其2nm制程指标，引发半导体行业广泛关注。台积电在国际电子器件会议上首次公布了其2nm制程的关键技术细节和性能指标。相较于3nm工艺，2nm制程在晶体管密度上提升了15%，功耗降低了24%至35%，性能提高了15%。
这一突破主要得益于全环绕栅极纳米片晶体管和N2 NanoFlex设计技术协同优化。N2制程还引入了六个电压阈值电平，范围为200mV，同时提高了N型和P型纳米片晶体管的CV速度。
此外，台积电在2nm制程中采用了全新的无屏障全钨中间线层和后端布线，降低了电阻，提高了性能效率。在SRAM密度方面，台积电2nm制程也取得了突破，达到了创纪录的37.9Mb/mm。
目前，台积电N2制程处于风险生产阶段，计划于2025年下半年量产，而增强版本N2P预计将于2026年量产。
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