快科技4月17日消息，日前，复旦大学宣布，时隔2周，继二维半导体芯片之后，复旦集成电路领域再获关键突破。
据介绍，复旦大学周鹏、刘春森团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限，研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。
其擦写速度可提升至亚1纳秒（400皮秒），相当于每秒可执行25亿次操作，性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术。
相关成果以《亚纳秒超注入闪存》为题在《自然》期刊上发表。
据了解，这是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术，实现了存储、计算速度相当，在完成规模化集成后有望彻底颠覆现有的存储器架构。
在该技术基础上，未来的个人电脑将不存在内存和外存的概念，无需分层存储，还能实现AI大模型的本地部署。
团队将“破晓”与CMOS结合，以此打造出的Kb级芯片目前已成功流片，下一步，计划在3-5年将其集成到几十兆的水平，届时可授权给企业进行产业化。
上善若水
这个是颠覆性技术。就是容量太小，先考虑做CPU缓存。如果技术成熟了，相当于当初光纤技术的革命性了。加油。
金黄的蛋卷
以后是光存储[得瑟]
再见理想
算了吧，实现不了的技术
喵了个咪
赶紧量产吧，量产后估计现有的电脑都没人要了。。[无奈吐舌]
快乐
量产不了，50M一大关
用户10xxx62
20年内能不能上市 这又要超存储概念了？
沿途自有风景
好多新玩意非得到国外发表？
格格巫
[点赞]
一手木头
快点商用啊[点赞]
lgqcq2
先弄出来申请专利，再发表论文不行吗？
啤酒旋风天团
配合巴铁 科技世界不是梦[笑着哭]