IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它结合了MOSFET（绝缘栅型场效应管）的高输入阻抗和GTR（双极型晶体管）的低导通压降的优点。12

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

IGBT的驱动电路的主要功能是提供适当的正向栅压，确保IGBT的功率输出级总处于饱和状态，并在瞬时过载时提供足够的驱动功率以保证IGBT不退出饱和区。同时，IGBT驱动电路还需要对IGBT进行保护，例如监测过流故障并采取相应的措施。

在实际应用中，IGBT除了自身外，其驱动器对整个换流系统来说也至关重要。例如，在有源电力滤波器设计中，IGBT作为开关使用，驱动电路控制其通断，并同时对过流故障进行监测。

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