中国半导体行业协会（CSIA）主席叶甜春曾公开表示，我国目前还不能与国际大公司相抗衡，应该把精力集中在成熟工艺和后阶段封装上。这一看法折射出中国半导体产业对于全球晶片设计与制造的趋势有明确的认知，特别是在目前无法取得国际先进制程装备与产品的情况下，专注于已有的成熟制程技术，已成为研发战略的重心。

当前，中国的集成电路工艺与世界先进水平还有很大的距离。以龙芯为例，它在四月份发布的 CPU性能可以媲美英特尔10代酷睿，但是它的性能仍然落后 AMD, Intel和高通5年之久。华为最新推出的麒麟芯片，虽然也是7 nm制程，但由于采用深紫外光刻工艺，在制造效率、成本等方面都无法与国外竞争对手相比，存在着巨大的差距。尽管国内已有能力利用深紫外光刻机制造少量的7纳米芯片，但国外已采用极紫外光刻工艺进行3纳米芯片的制造，并逐步走向成熟。

在芯片制造设备上，中国面临来自美国对 ASML的禁止，以及中芯等国产公司的成长受阻。虽然上海微电子、北方华创等企业已经开展了光刻机的自主研发，但是与 ASML公司的先进水平还有很大的距离。如果不能在接下来的3-5年时间里快速解决这些问题，中国就会在高端晶片生产方面，被西方的竞争者甩在后面。据预计，中国在7纳米及更低制程上的市场份额只有2%，而5 nm以下的高端制程则很难出现。

叶甜春建议，中国应该开拓一条新的科技创新之路，不要只跟著台积电等世界顶级晶片厂商在奈米尺度上的角逐，而是要将重心放在成熟工艺与体系结构上。台积电的12吋晶片，一年大约有一千二百万块，其中百分之八十都是经过验证的制程。中国在工艺上已经具备了很大的优势，现在应该把重心转移到制造大部分电子产品需要的高质量的传统晶片上。

中国的半导体工业面临着技术壁垒、设备等方面的挑战，必须进行战略性的调整。中国不仅要把精力集中在成熟工艺上，还要在半导体材料、设计工具、加工工艺等方面加大研发投入，以保证整个产业链的整体提升，并实现自主可控。

在材料方面，中国已经在硅材料，特种气体，以及光刻胶等制造工艺中的重要材料上，有了长足的进步。在此过程中，强化原材料的国产替代，不但能够降低生产成本，而且能够增强供应链的稳定与安全。另外，我们还需要研发一套具有自主知识产权的设计软件与工具，使其能够在不依赖于国外技术的情况下，提高芯片的整体性能。

在工艺上，中国在 EUV光刻之前进行多次曝光、极紫外光刻和新型纳米压印等技术研发上仍有一定的差距，但仍可在此基础上寻求突破。该技术的开发与成熟，将为中国在未来半导体工业的竞争中，带来新的机遇。

同时，加强与国内外高校、企业的合作，是提升科研创新能力，加快科技成果转化的有效途径。在此基础上，进一步加强与国外研究机构的合作，推动中国半导体行业的科技交流与人才培养，为我国半导体工业发展提供新的动力。

从根本上说，中国的半导体工业不仅要跟上世界的脚步，还要不断地进行技术革新、产业升级，争取在世界上占有一席之位。要实现这一目标，不仅要有国家级的长期投入，还要有政策上的支持，还要有行业内的积极回应与合作。这是中国在世界半导体竞争中取胜的唯一途径，也是保证其在未来科学和技术发展中的重要角色。