前不久，环球时报等多家媒体报道，在老美频频施压之下，荷兰ASML突然宣布，针对部分DUV光刻机型号，将停止对中国客户的设备检修等售后服务。这部分光刻机设备，预计到明年就无法再正常运行了。

此消息一出，国内科技界瞬间炸锅了。要知道，这些年国内已累计向ASML采购了约1400台光刻机，而仅仅是2024年上半年，也就是三方协议缓冲期内，我们还有向ASML密集采购了约88台光刻机，总价值高达350亿元！

在中国芯爬坡破冰的关键阶段，这些外购来的光刻机是保证产能的基本因素。可美方却“釜底抽薪”，意欲把我们已购的光刻机变成“废铁”，彻底失去自主制造芯片的能力。

但让美方和ASML做梦都没有想到的是，“反转”竟来得如此之快，仅短短数十天，大势已定！

最近这几天，国内科技圈变得热闹非凡，主要话题几乎都是围绕着“光刻机”。据悉，工信部在9月上旬发布了一则名为《首台重大技术装备推广应用指导目录》的重要通知。两台由我们自主研发的光刻机设备，此次正式亮相！

资料显示，这两台国产光刻机分别是氟化氪光刻机（Krf），波长248nm，分辨率≤110nm、套壳≤25nm；氟化氩光刻机（Arf），波长193nm，分辨率≤65nm，套壳≤8nm，属于深紫外（DUV）范畴。

从2020年到现在的四年时间里，我们曾听闻很多关于国产光刻机的消息，如光源的突破等等，但真正实现整机突破的，这还是头一遭。由此足以看出这两台国产光刻机落地的重大意义！

需要强调的是，针对氟化氩光刻机（Arf）小于8nm的套刻精度，一些网友误认为它可以用于8nm芯片的制造。其实这样理解是错误的，所谓套刻精度小于8nm，指的是前后两道光刻工序之间的图形对准精度达到了8nm以下，即误差小于8nm。

套壳误差与芯片的良率和性能息息相关，而8nm误差的水平，则能够用于20nm及其以上制程工艺芯片的制造。也就是说，咱们的这台国产光刻机的主要应用范围是成熟芯片领域。

当然，通过多重曝光技术也并非不能实现14nm/7nm芯片的制造，只不过，良率和成本都会受到影响，划不来。

事实上，早在两年前，龙芯工程师胡伟武就曾说过，我们不必盲目的学习美国去造5nm芯片，就目前国内芯片市场的需求而言，28nm够用了，可满足超80%以上的产业领域，如家电、汽车等行业，所用到的基本都是成熟芯片。

在美方与ASML计划停止对中国光刻机维修的关键时刻，国产光刻机的突破可谓恰到好处！外界的封锁非但无法遏制中国芯崛起的步伐，反而将会进一步加快我们实现芯片供应链国产化替代的步伐。

从90nm的分辨率到65nm，欧美用了十数年，而我们只用了四年，且以后会越来越快，这就是“中国速度”！就连不少外媒都纷纷表示，彻底挡不住了！

当然，我们不提倡盲目的吹捧或者唱衰，不可否认，现阶段国产光刻机的工艺与性能相比ASML还有很大的差距，但我们理应给予足够的包容，正所谓“不积跬步无以至千里”，所有尖端技术的研发都需要一步一个脚印，因为只有先站稳低端、打实基础，未来才能更好的冲击高端。

保持耐心、拭目以待，相信用不了多久，中国芯就能再次震惊全世界！