三星晶圆厂宣布在美国建厂计划
三星晶圆厂（Samsung Foundry）于2025年1月14日宣布，计划在美国德克萨斯州泰勒市建立一座先进的芯片生产基地，预计将在2026年开始生产3纳米和2纳米芯片。此举标志着美国在先进半导体制造领域迈出重要一步。
三星获得政府支持
为了支持该项目，三星已投入数十亿美元用于建设该工厂，并获得了美国政府47.4亿美元的激励措施。新工厂的建设不仅有助于提升美国本土的半导体生产能力，还将为当地创造大量就业机会。
技术优势与市场前景
三星晶圆厂将采用Gate-All-Around（GAA）晶体管技术，用于3纳米和2纳米芯片的生产。GAA技术通过垂直排列的水平纳米片完全覆盖通道的四侧，减少了电流泄漏，提高了驱动电流，从而实现更高的性能和能效。相比之下，台积电（TSMC）在其3纳米芯片中仍使用FinFET技术，但在2纳米节点上也将转向GAA技术。
行业影响
随着台积电在亚利桑那州的2纳米芯片生产线预计于2028年投产，以及三星在德克萨斯州的新工厂，美国有望在未来十年内成为全球先进半导体制造的重要中心。苹果等美国科技公司预计将从中受益，获得更稳定的供应链支持。
来源：PhoneArena，2025年1月14日
参考链接:
https://www.phonearena.com/news/samsung-tsmc-plan-to-build-2nm-chips-in-the-states_id166633
