电子发烧友网报道（文/黄晶晶）日前，铠侠宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的2Tb四级单元 (QLC) 存储器已开始送样。这款2Tb QLC存储器拥有业界最大容量，将存储器容量提升到一个全新的水平，将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。

铠侠的BiCS FLASH是一种三维（3D）垂直闪存单元结构。铠侠的TLC 3位/单元1Tb （128GB） BiCS FLASH为业界首创，在提升写入速度的同时也提高了擦写次数的可靠性。还提供采用4位/单元、四层存储单元（QLC）技术的2Tb BiCS FLASH。

从BiCS FLASH技术架构来看，先交替堆叠作为控制栅极的板状电极(绿色板)和绝缘体，然后垂直于表面的大量孔都被一次性打开（冲孔），接着，在板状电极中打开的孔的内部填充(插入)电荷储存膜(粉红色部分)和柱状电极(灰色柱状结构)。在此条件下，板状电极与柱状电极的交点为一存储单元。先堆叠板状电极，然后开孔从而一次形成所有层的存储单元，以降低制造成本。

图源：铠侠官网

据此前介绍，基于铠侠的BiCS FLASH技术，实现了高达1.33 terabit（Tb）的业界最大的单芯片容量，而且其16芯片堆叠架构可以实现高达2.66 terabyte（TB）的最大单一封装容量。这一技术产品主要用于企业存储、数据中心存储、移动设备、车载、工业和消费等领域。

全新的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC产品提高了约2.3倍，写入能效比提高了约70%。

全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片提供4TB容量，并采用更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm。

除2Tb QLC之外，铠侠还推出了1Tb QLC版本。相较于容量优化的2Tb QLC，1Tb QLC的顺序写入性能还能再提升约30%，读取延迟提升约15%。1Tb QLC更适用于高性能领域，包括客户端SSD和移动设备。

铠侠表示，其最新的BiCS FLASH技术主要采用突破性的缩放和晶圆键合技术。通过专有工艺和创新架构，实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。此外，铠侠还开发了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术，以提供更高的位密度和业界领先的接口速度（3.6Gbps）。

铠侠于2007年首次提出BiCS 3D闪存技术，2015年8月首次推出32GB 48层TLC每单元3位BiCS FLASH。2017年6月首次引入QLC BiCS FLASH，64层BiCS3技术，2018年96层BiCS4，QLC BiCS FLASH单芯片容量达1.33Tb。2020年引入第5代112层BiCS FLASH。2022年第6代 BiCS为162层。

并且铠侠跳过第7代，于2023年3月推出第8代 BiCS 3D NAND，堆叠218 层，接口速度3200MT/s。接下来还将开发284层闪存。铠侠首席技术官Hidefumi Miyajima近日披露，铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存。