关于igbt1）IGBT是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件。成本占新能源汽车整车成本的10%，占充电桩成本的20%。由于未来几年新能源汽车、充电桩等新兴市场的快速发展，IGBT等半导体功率器件将迎来黄金发展期。2）IGBT将率先受益于新能源电动汽车销量的反弹。根据trendforce数据，2018年中国电力半导体市场规模为2591亿元，IGBT作为主流器件发展最快。在国家七大战略性新兴产业中，IGBT是新能源产业、新能源汽车产业、节能环保产业、高端装备制造业不可或缺的半导体器件。3）随着这些产业的快速发展，IGBT提供了更广阔的市场。此外，光伏、风电等新能源领域对IGBT的需求也大幅增加，国内IGBT替代空间较大。4）IGBT是一种绝缘栅双极晶体管。它是由BJT双极三极管和MOS绝缘栅FET组成的复合全控电压驱动功率半导体器件。它具有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降的优点。GTR的饱和电压降低，载流密度大，但驱动电流大。MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降大，载流密度低。5）IGBT结合了两种器件的优点，驱动功率低，饱和电压低。非常适用于直流电压600V及以上的变频系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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