近日，新存科技正式公布了其自主研发的NM101芯片的具体参数，这款新型3D存储器芯片以其高容量和高性能吸引了业界的广泛关注。

作为国内首款最大容量的3D存储芯片，NM101的面世标志着中国在高端存储技术领域的又一次突破，也为国产化的存储芯片生态发展注入了新动力。

NM101芯片的技术创新新存科技此次发布的NM101芯片，采用了SLC（单层单元）存储类型，单颗芯片容量达到64Gb，体现了其在存储密度和容量方面的领先优势。芯片采用了三维堆叠技术，将存储单元以多层的方式堆叠在一起，从而在有限的物理空间内实现更高的存储容量。

强大的性能参数NM101的参数表现也非常亮眼。其IO接口速率最高达到3200MT/s，总线位宽为×8，电压为1.2V，能够在0℃到+70℃的环境下稳定运行。这些特性使得NM101在高性能计算和数据存储应用中具有极大的优势。例如，在数据中心和云计算领域，存储芯片的稳定性和快速响应能力至关重要，而NM101则能够为这些场景提供可靠的支持。

华中科技大学的缪向水教授指出，NM101的问世正是新存科技与高校深入合作的成果之一。新存科技通过与国内科研力量的协同攻关，加速了国产新型存储器技术的产业化进程，这对于提升国内存储芯片行业的整体水平具有重要意义。

总之，NM101的发布不仅为新存科技带来了新的市场机遇，也为国内存储芯片行业的发展提供了参考。随着数字经济的快速发展和数据量的不断增长，高性能存储芯片的市场需求将持续扩大。新存科技希望通过持续的技术创新，提升国产存储芯片在全球市场中的竞争力，为中国半导体行业的发展贡献一份力量。

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