国产芯片自主化已经成为了一个老生常谈的问题，距离2025年定下的芯片自给率70%的目标也仅剩下2年时间，同时为了彻底摆脱美国在半导体领域给予的压力，芯片产业链的全方位破局成为了唯一方向。

而目前国产芯片产业链的破局，难点主要在芯片制造设备上，在芯片设计方面，无论是RISC-V架构还是LoongArch架构我们都有了非常充分的准备，至于芯片之母EDA软件方面，国产化的步骤也已经达到了14nm以上。

而按照倪光南院士定调28nm的方向来看，我们的EDA软件已经可以解决绝大部分场景下的需求了。

所以，目前的困难就是芯片制造方面，因为芯片制造的过程是极为复杂的，除了光刻机参与之外，还有离子注入机、刻蚀机等设备的参与，自从2019年以后，外界把更多的关注点放在了光刻机上，因为目前明面上的数据显示，国产光刻机的水平还停留在90nm上，但是，国际一流水平已经进入到了2nm阶段，所以，这让国人感到了焦虑。

但是，真实的情况是，除了刻蚀机目前处于国际一流水平以外，其它一些设备仍然落后，就拿离子注入机来说，我们的工艺也是远远落后的，所以说，在当时看来，我国的半导体国产化之路是非常艰难和困难的。

不过，这一切都在慢慢变好，因为就再6月29日，中国电子科技集团公布消息显示，该集团旗下的中电科电子装备集团有限公司已经实现了离子注入设备28nm工艺制程全覆盖。

这则消息一出，意味着我国距离倪光南院士设定的28nm成熟工艺国产化更进了一步。

而面对着这则消息，估计日本和美国都是抓狂的。因为，日本方面，宣布将在7月份将23类芯片制造设备对我国限制出口，意图跟随美国封锁我国的芯片技术发展。

但是，现在看来，日本的封锁反而在加快我国在芯片产业链上的自主化，不光是离子注入机，还有半导体用光刻胶，我们也正快速实现自给自足，这将严重影响日本半导体产业未来的发展。

毕竟当我国有了更多的替代产品，不光意味着日本将失去我国市场，更意味着在国际市场上，日本将迎来一个又一个的强大竞争对手，毕竟我国的市场份额足够庞大，可以拉低同类竞品的售价，所以性价比将远远超过日本同类产品。

至于美国方面就更好理解了，拜登从上任以来，其就一直在致力于对我国芯片等领域的打压，更是推出了芯片法案来制约我国芯片技术的发展。

但是，现在的情况却是，拜登的制约行动正在一步步被瓦解，首先就是华为推出了14nm以上EDA软件，摆脱了欧美企业对我国的垄断。

其次就是，现如今离子注入机也已经完成破局，接下来的方向就很简单了，只要等待国产28nm光刻机的破局，那么我国整体芯片技术的发展将进入一个全新的阶段。

虽然还无法达到和国际巨头一决高下的地步，但是，解决绝大部分产品的自主化是绝对没有问题的，至于更高精度，我们需要时间去一步步践行。

另外，国产化离子注入机的新突破也意味着耶伦的喊话完完全全的被无视了，在4月份的时候，美国财长耶伦就喊话，让我们放弃在高科技领域的研发投入，想以此来阻止我国在高科技领域的发展，但是，现在看来，耶伦的喊话只是自讨没趣。

所以说，一直以来，对于我们而言，美国都太把自己当回事了，但是，需要明白的是，我们不是日本更不是韩国，还是希望美国能够早点搞清楚这个事实，收起自己那些不切实际的幻想。