据报道，英伟达正与包括三星电子和SK海力士在内的主要存储半导体公司进行秘密讨论，以实现一种名为“SOCAMM”的新存储标准的商业化，该标准被誉为“第二代高带宽存储（HBM）”。2月16日，业内人士证实了这一进展，标志着存储半导体领域的一次重大转变，对B2B服务器市场和新兴的设备端人工智能领域都具有潜在的影响。
英伟达与三星/SK海力士合作，推动SOCAMM生产SOCAMM内存技术具有极高的数据传输带宽，能够显著提升个人AI超级计算机的性能。集成了低功耗和高能效的LPDDR5X DRAM，有助于降低系统能耗，延长设备电池寿命。SOCAMM内存模块采用可拆卸设计，使得更换和升级变得更加便捷，提高了设备的灵活性和使用寿命。该模块的设计包括694个I/O端口，超过了当前LPCAMM标准的644个端口，有助于进一步缓解数据瓶颈问题。
NVIDIA 和内存制造商正在交换 SOCAMM 原型进行测试，并可能在 2025 年底开始大规模生产。NVIDIA 推出了 GB10 Grace Blackwell 超级芯片和 Project DIGITS，旨在普及个人 AI 超级计算机。据 EBN 称，SOCAMM 被视为“下一代”HBM，在小型 PC 和笔记本电脑中具有优于传统 DRAM 的性能和能效，这可能是关键。
值得注意的是，EBN 报告暗示 NVIDIA 计划在其“DIGITS”系列的第一款产品中使用单独的 LPDDR，并计划在下一个版本中整合四个 SOCAMM 模块。
报告强调，与基于 DDR4 和 DDR5 的 SODIMM 模块不同，SOCAMM 使用低功耗LPDDR5X来提高效率和性能。报告补充说，随着 I/O 引脚的增加，它可以显著提高数据传输速度，这对于 AI 计算至关重要。
国产厂商积极参与HBM打造HBM是先进封装重要的组成部分，主流的HBM制造工艺是TSV+Micro bumping+TCB，要实现这些步骤就需要对应的设备和材料。有业内人士表示，IC设备和材料供应商已经接到来自中国大陆厂商的订单需求。
从生产厂商进展来看，目前国内头部的封装企业都能够提供支持HBM生产的先进技术，比如TSV和Micro bumping，不过在精度方面，预计和国际大厂还有一定的差距。
从产品研发进展来看，国内国芯科技和紫光国微等厂商都在布局HBM研发。此前，国芯科技在回答投资者问时表示，该公司在客户定制服务产品中使用HBM接口IP技术，目前正在基于先进工艺开展流片验证工作。紫光国微也回应投资者称，该公司的HBM产品目前还处于研发阶段，已经通过初样测试。
由于先进制程的问题，国产芯片在先进封装方面的布局很难跟随台积电、英特尔和三星方面的技术路线，这就导致国产芯片对于HBM的需求也定然和英伟达等公司的需求不同。当然，说这些还为时尚早，目前国产HBM内存仍处于从0到1的技术攻关阶段。
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