前面说了不少“管”，属于模电中的基础部分，但模电中的最核心部分还是半导体，因为半导体属于理论基础，而所有的“管”只是它的应用。

提及半导体，就会自然而然的想到硅和锗，因为，平时比较熟悉叫硅管和锗管。硅和锗同属于4价元素，既不活跃，也不惰性，介于导体与绝缘体之间，所以才称之为半导体。

提纯的硅和锗就叫本征半导体，这类半导体受温度影响比较大，温度一高，最外层电子就容易跑出去成为自由电子，电子带负电喽！电子一跑出去，就留下了一个坑，这个坑，就是空穴，空穴自然像带正电喽！

这绝对是不理想地！所以就想到了给本证半导体掺杂，掺杂了的半导体叫做掺杂半导体。都掺些什么哪？5价的磷元素和3价的硼元素。

4价的硅，掺了5价的磷，自由电子就占多数，称为多子。掺的磷越多，自由电子的浓度就越大。自由电子是带负电的，所以，本身显负电性，称为N型半导体。N是“负”的英文首字母。

4价的硅，掺了3价的硼，空穴就占多数，空穴就为多子。掺的硼越多，空穴的浓度就越大。空穴带正电，所以，本身显正电性，称为P型半导体。P为“正”的英文首字母。

如此，就有了N型和P型半导体。

把N型和P型半导体烧结在一起，在中间区域，就会存在自由电子的浓度差，N多P少。由于浓度差的存在，N的自由电子就会向P扩散，与P中的空穴复合，该运动就是扩散运动。

随着扩散运动的加剧，内电场就形成了！内电场方向由正到负，自由电子又会向正极运动，该运动称为漂移运动。

当扩散运动与漂移运动势均力敌，达到平衡时，就形成了耗尽层。在耗尽层，是存在内电场的，如此就形成了我们常说的PN结。P是正极，N为负极。

以上说了这么老多，又扩散，又漂移的，看似很“龟速”的运动，外加一个电源，这种平衡就会立马被打破了！

外电源正极接P，负极接N，N中的自由电子便迅速向电源正极移动，P中的空穴便迅速向电源负极移动，在电路中便形成电流，这不就是二极管的正向导通的过程吗？

在这个电路中，二极管实则扮演了一个开关的角色，正向电压使其导通，若没有负载电阻，整个电路则相当于短路状态，导线一会就能发热的不行。不管短路不短路，这实则就进入了半导体的应用层面了。