在 Galaxy S25 系列推出之前，有传言称三星可能不会在其新的高端手机中使用其内部的 DRAM 和存储芯片。现在，已经确认该信息是正确的。
Galaxy S25 使用美光的 DRAM 和 UFS 4.0 存储芯片
美国存储芯片制造商美光已确认 Galaxy S25、Galaxy S25+ 和 Galaxy S25 Ultra 使用其LPDDR5X DRAM 和 UFS 4.0 存储芯片。该公司在 X 上发布了这一信息，并得到了三星智能手机部门的证实。美光是三星在半导体存储芯片领域的主要竞争对手之一。
这家美国公司表示，其LPDDR5X DRAM 芯片采用先进的 1β （1-beta） 工艺技术制造，并进行了设计优化，使它们能够在比竞争对手芯片更低的电压水平下运行。这样可以延长使用这些芯片的设备的电池寿命。
这可能是三星首次从外部品牌为其旗舰智能手机购买存储芯片。之前的 Galaxy S 和 Galaxy Z 系列手机都使用了三星半导体的 DRAM 和存储芯片，因此这对三星的存储芯片业务来说是一个重大打击。
阿当先生
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