快科技4月3日消息，近日，“浸润光刻之父”的中国台湾清华大学半导体研究学院院长、台积电前研发副总经理林本坚在接受采访时表示，中国半导体产业创新路径的另类突围，在欧美不断死逼、围堵的情况下，甚至可能会出现类似DeepSeek惊讶全世界的科技突破。
在全球半导体产业格局持续震荡的背景下，台积电前研发副总林本坚近期提出具有战略前瞻性的产业观察。这位浸润半导体领域四十余载的行业泰斗指出，中国大陆或可通过颠覆性技术创新，在半导体领域实现类似DeepSeek之于人工智能的突破性跨越。
面对外界持续的技术封锁压力，林本坚认为中国大陆企业正展现出独特的创新韧性。"当外部压力转化为创新动能时，中国工程师完全可能另辟蹊径。"他特别强调，中国半导体产业不必拘泥于对7nm、5nm等先进制程的盲目追逐，而是可以通过材料革命和架构创新实现弯道超车。
这种创新路径已在人工智能领域获得验证。DeepSeek团队突破传统技术路线，以创新算法架构实现算力跃升的案例，为半导体创新提供了重要启示。林本坚分析指出，若采用新型二维材料结合3D异构集成技术，完全可能在现有制程节点上实现晶体管密度的倍增效应。这种"等效制程"策略既规避了EUV光刻机的技术瓶颈，又能实质提升芯片性能。
这种创新范式可能引发产业格局重塑。林本坚警示，若中国大陆成功开发出基于新材料体系的半导体解决方案，当前台积电在3nm、2nm制程上的技术优势或将面临挑战。考虑到中国大陆庞大的市场规模和成本优势，这种突破性技术一旦产业化，可能重构全球半导体供应链体系。
值得关注的是，中国在石墨烯、碳纳米管等新型半导体材料领域已积累显著研发优势。中科院微电子所等机构在神经拟态芯片架构方面的突破，更显示出架构创新的巨大潜力。这种"材料+架构"双轮驱动的创新模式，正在孕育突破摩尔定律限制的技术可能。
站在全球半导体产业变革的临界点，中国企业的创新突围或将带来双重效应：既为全球半导体发展开辟新路径，也可能重塑既有的技术演进轨迹。这场由创新压力催生的技术革命，正在重新定义半导体产业竞争的底层逻辑。
