IGBT技术更新迭代已历经七代，不断提升性能与质量。从IGBT技术迭代来看，第一二代IGBT主要为平面栅型阶段；第三四代主要为沟槽栅型阶段，通过迭代的沟槽设计减少了IGBT的体积与功耗，并演化出了第五六代的沟槽格栅型改进；第七代为微沟槽栅型过渡，沟道密度更高，元胞间距更小，可实现最佳开关性能。
IGBT原理是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS（on）特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
2、IGBT芯片及器件技术优化方案目前，IGBT芯片优化方案朝着小型化、高功率、高可靠性方向发展。IGBT芯片优化方案包括沟槽棚精细化技术、高压/高温优化技术、多种优化技术组合、多功能集成技术等，不断扩展IGBT的技术优化，特别在电动汽车领域，在电动汽车应用领域，IGBT芯片性能优化的方案思路为：在沟槽精细化的基础上，采用薄片工艺并优化背面缓冲层设计，再结合优良的终端结构提高芯片耐压等级；将IGBT芯片和反并联二极管整合于一体，形成RC-IGBT结构，进一步提升芯片电流密度；芯片上集成温度电流传感器，门极驱动电阻以及RC芯片，有利于提高芯片长期运行的可靠性。在IGBT器件封装的方案思路为：在IGBT单管的基础上，立体式设计节省空间，并且方便叠层母排布局，提升散热效率。
3、车规级IGBT技术车规级IGBT是指电动汽车上驱动电机控制器MCU中使用的功率变换器件。车规级IGBT技术重视散热以及产品性能，模块封装要求更高。IGBT车规级下游应用对于封装技术要求不同，其中车规级由于工作温度高需要注重强振动条件，其封装要求高于工业级和消费级，此外，汽车零部件对于气候条件有一定要求，因此在高温、高湿、高压条件下要避免腐蚀或氧化，车规级半导体要求可承受温度区间达-40°C至150°C（工业级：-40至105°C），产品寿命要求较长，需要对芯片各方面进行优化。同时IGBT模块封装需要满足振动等级的要求，对于绑定线自身、相关连接件以及封装外壳等。IGBT封装对于温度、衬板焊料层等也是封装需要着重注意的。
车规级IGBT模块是新能源汽车的电机控制器、高压充电机、空调系统等电气组件的核心元器件，尤其IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换同时负责电机变频控制。因此车规级IGBT的技术水平影响新能源汽车驱动系统的扭矩和最大输出功率等。IGBT在升压变流器中的应用中，电池经过中压直流之后，通过升压换流器再高压直流，进入主逆变器，再经过高压交流，最后通过电机。在新能源汽车中IGBT应用于车用空调变频与制热IGBT、汽车转向助力系统IGBT、OBC（充电/逆变）IGBT、后电机驱动IGBT、前电机驱动IGBT等。
珠海富士智能股份有限公司专注于IGBT散热铜底板研发与制造！http://www.fujichinon.com/
