在当今这个全球化的时代，科技竞争早已不仅仅是各国之间的技术较量，更是关乎国家未来发展的关键博弈。西方国家，尤其是以美国为首的力量，长期以来把我国视为强有力的竞争对手，甚至不惜将我国视为潜在的敌人。

当我国在某些领域崭露头角，影响到西方国家的技术霸权时，他们便通过限制和封锁的方式，想方设法对我国的发展设障。这种情况并非偶然，面对这种种限制和封锁，我们该如何应对？这是一个值得深思的问题。

在国际舞台上，尤其是在科技领域，西方国家从未停止过对我国的遏制。从半导体产业到高科技设备，从网络安全到先进的制造技术，几乎所有能对我国未来发展产生深远影响的核心领域，都被西方国家加以限制和封锁。当我们在某些技术领域逐渐接近他们时，他们通过贸易壁垒、技术封锁甚至直接制裁等手段，设法限制我们的进步。最典型的例子就是美国对我国的“科技封锁”，特别是在芯片、5G通信和人工智能等前沿技术领域，频频出台各种限制政策，目的就是希望削弱我们的竞争力。

为什么会这样？西方国家，尤其是美国，长期占据全球科技制高点，对技术的掌控就是他们维护全球霸主地位的一张“王牌”。一旦这种技术优势被挑战，尤其是当我国在这些领域取得突破性进展时，他们就会不自觉地感到威胁。不能否认的是，某些领域我们依然存在差距，特别是一些核心技术，仍然需要我们不断努力去突破。在EDA（电子设计自动化）技术和光刻机技术等领域，我们的技术水平仍处于相对落后的状态，这些技术的差距，也成为了制约我们科技自主发展的瓶颈。

EDA技术指电子设计自动化，EDA技术是芯片设计的核心技术之一。要想设计出一款成功的芯片，EDA技术的支持是必不可少的。这个技术的作用就像是一个“黑匣子”，它通过计算机模拟和优化芯片设计，帮助工程师完成从芯片结构设计到物理验证的各个环节。光刻胶在半导体制造中扮演着至关重要的角色，它是制造芯片过程中的关键材料，是芯片“成型”过程中的一部分。光刻胶在曝光过程中会受紫外线照射，产生化学变化，从而帮助制造出微米级甚至更小的电路结构。

虽然我国在光刻胶领域已经取得了一些进展，并且在一定程度上实现了进口替代，但要想达到国际先进水平，尤其是在高精度和高性能方面，依然差距较大。随着芯片制造工艺的不断进步，尤其是极紫外（EUV）光刻技术的应用，对光刻胶的要求也越来越高。光刻机的工作原理利用高能光源通过一块掩模将图案转移到芯片表面，随着芯片工艺的不断进步，光刻机的精度要求越来越高，尤其是14纳米、7纳米甚至更小的工艺节点，需要光刻机提供极高的分辨率。

令人遗憾的是，目前我国仍然无法自主制造高端光刻机，完全依赖进口。特别是国际上领先的荷兰ASML公司，几乎垄断了全球最先进的光刻机市场。德国、日本等发达国家早已在这一领域占据领先地位，它们的精密机床不仅应用于本国工业生产，也在全球范围内提供技术支持。