根据各大内存厂商的规划，以下是2023年至2026年间，SK Hynix、Samsung和Micron在HBM技术上的发展及路线图：

1. SK Hynix

SK Hynix在2023年推出了HBM3内存，这一代HBM产品具有更高的带宽和更大的容量，相比HBM2E有显著的性能提升，主要应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）以及数据中心。2024-2026年，SK Hynix预计将继续提升HBM3的量产能力，并开始研发和发布下一代HBM4。HBM4预计将在带宽、功耗和堆叠层数上有显著的改进，以满足未来AI模型和HPC应用对内存带宽和效率的更高要求。

- HBM3 (2023-2024年)：SK Hynix在2023年继续量产和优化HBM3内存。HBM3的带宽和容量相比HBM2E大幅提升，主要应用于AI、HPC等领域。

- HBM3E (2024-2025年)：预计在2024年或2025年，SK Hynix可能会推出HBM3的增强版（HBM3E），带宽和功耗性能进一步优化。

- HBM4 (2025-2026年)：SK Hynix可能会在2025年或2026年发布下一代HBM4，预计在堆叠层数、带宽和能效方面有显著提升，以应对更高端的AI计算和HPC需求。

2. Samsung

2023年，Samsung发布了其基于8层堆叠技术的HBM3，具有极高的带宽和密度，广泛应用于AI、HPC和数据中心领域。2024-2026年，Samsung计划在2024年加速量产HBM3，并预计在2025年发布HBM4。Samsung的HBM4预计将在堆叠技术、带宽和功耗优化方面进行进一步创新，同时继续提升生产良率和成本效率，以保持其市场领先地位。

- HBM3 (2023-2024年)：Samsung在2023年已经推出了8层堆叠的HBM3，目标市场包括高性能计算、AI和数据中心。

- HBM3E (2024-2025年)：Samsung可能会在2024年或2025年推出HBM3E，进一步优化HBM3的性能，提升带宽和能效比。

- HBM4 (2025-2026年)：Samsung预计将在2025年或2026年发布HBM4，继续在堆叠技术和内存带宽上进行创新，以满足更高的市场需求。

3. Micron

Micron在HBM领域相对较晚进入市场，但2023年已经开始量产HBM3，主要定位于AI加速器和高性能计算市场。2024-2026年，Micron计划扩展其HBM3的生产能力，同时在研发上推进下一代HBM产品（可能是HBM4）的开发。Micron在未来几年内将重点提升HBM的能效比和存储密度，以满足不断增长的市场需求，并争取在HBM市场中占据更大份额。

- HBM3 (2023-2024年)：Micron在2023年正式进入HBM市场，推出HBM3，主要用于AI加速器和高性能计算领域。

- HBM3E (2025年)：Micron预计在2025年发布HBM3E，进一步优化HBM3的技术，提升带宽和能效，以增强其市场竞争力。

- HBM4 (2026年)：Micron可能在2026年推出HBM4，以应对未来AI和HPC市场对高带宽内存的更高需求。

总结

在未来几年内，HBM3和HBM3E将是主要的市场产品，而HBM4将逐渐成为新一代高带宽内存的代表。各厂商将通过持续的技术优化和新产品发布，重点在于提升带宽、降低功耗和增加存储容量，以满足不断增长的AI和HPC市场需求。