碳化硅作为新一代半导体材料，其在电力电子、新能源汽车、5G通信等领域的应用前景广阔。国内外8英寸SiC Fab的快速发展，不仅将推动半导体产业的技术革新，也将为相关行业带来更多的发展机遇。

国内8英寸SiC Fab正在迅速崛起。目前，芯联、士兰微、长飞等企业在这一领域进展较快。这些企业通过引进先进的生产设备和技术，不断提升自身的生产能力。此外，一些传统的硅基8英寸玩家也在积极转型，通过购买专用设备，逐步进入SiC领域。例如，zxtj等企业已经开始布局SiC市场。

在国际市场上，8英寸SiC Fab整体仍处于引领阶段。近期，ST（意法半导体）宣布将在意大利卡塔尼亚新建一座大批量200mm SiC工厂，专注于功率器件和模块以及测试和封装。该工厂计划于2026年投入生产，并在2033年达到满负荷生产，届时每周可生产多达15,000片晶圆。此外，三菱电机也宣布，位于熊本县的SiC晶圆厂将提前于2025年11月开始运营，比原计划提前约5个月。

英飞凌在8月8日宣布，其位于马来西亚居林的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂一期项目正式启动运营。项目投资额20亿欧元，重点生产碳化硅功率半导体，同时也涵盖部分氮化镓外延生产。英飞凌在社交平台上官宣，该厂将于今年底开始生产碳化硅产品，预计2025年可实现规模量产。

英飞凌于2022年2月宣布斥资20亿欧元，在马来西亚居林工厂建设第三厂区，后又于2023年8月宣布再投入50亿欧元进行扩建，总投资额上升到70亿欧元。一期项目以碳化硅为主力，还将包括氮化镓外延；二期投资额将打造全球最大、最高效的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂。

2023年安森美在韩国京畿道富川市投资建设碳化硅生产设施，目标2024年完成设备安装。近日媒体报道，安森美计划该厂初期生产6英寸碳化硅晶圆，年底前完成8英寸碳化硅的认证，包括从衬底到晶圆厂的全产业链认证，2025年完成8英寸工艺验证和转换，并投入量产，产能将扩大到当前规模的10倍。

近日亦有消息称，罗姆决定将其位于日本宫崎县的第二家工厂用于生产8英寸碳化硅衬底，2024年开始投产。该厂原为出光兴产旗下，2023年罗姆将其收购，改造成碳化硅功率半导体生产基地。另一家日本功率半导体厂商三菱电机也宣布将加快建设位于熊本县的8英寸碳化硅晶圆厂。该厂原计划运营日期为2026年4月，现已提前至2025年11月。

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