一场可能彻底改变半导体行业格局的战略举措正悄然展开。SK海力士日前推出了其“一个团队战略”的重要组成部分，即与台积电合作开发第六代高带宽内存（HBM）芯片，即HBM4。

据2月7日报道，台积电将负责HBM4制造过程中的一些关键环节，重点可能放在封装技术上，以提升产品的兼容性。这一合作旨在利用台积电先进的封装技术，验证HBM4的布局和速度，解决之前1024位内存接口的局限性，并迈向更宽的2048位内存接口。

HBM（High Bandwidth Memory，高宽带内存）技术的独特之处在于它能够将专用数据处理器直接集成在动态随机存取存储器（DRAM）中。这种集成使得将部分数据处理任务从主机处理器转移到存储器中成为可能，从而满足人工智能芯片训练对高带宽的要求。因此，HBM被认为是推动下一代人工智能技术发展的领先存储技术。

相较前几代HBM，HBM4计划采用更宽的2048位内存接口，解决之前1024位内存接口“宽但慢”的问题。台积电的参与对于验证HBM4的布局和速度至关重要，而其先进的封装技术将在这一过程中发挥关键作用，确保其在高性能人工智能应用中的有效性。

业内人士强调封装技术在下一代人工智能半导体中的重要性，而这两家行业巨头的合作预计将产生重大影响。目前，HBM市场呈“三足鼎立”的格局，SK海力士、三星和美光是全球仅有的三家HBM供应商。据行业数据显示，2022年HBM市场中，SK海力士占据50%的市场份额，三星占40%，美光占10%。

从2023年下半年开始，SK海力士、三星和美光这三家HBM供应商基本同步启动了HBM3E的测试，预计从2024年第一季度能够实现批量供应。此前，SK海力士已计划扩大其HBM生产设施投资，以满足高性能人工智能产品需求的增加。公司计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E。

有分析认为，这次“AI联盟”可能是对三星电子建立的一种战略回应。此前的预测表明，三星于2023年底获得英伟达验证后，将从2024年第一季度开始扩大对英伟达的HBM3供应。在此之前，英伟达的HBM由SK海力士独家供应，但现在三星和美光也将加入供应链。

另外，OpenAI首席执行官Sam Altman最近访问了三星电子，讨论了人工智能半导体的开发和生产，进一步突显了三星电子在该领域日益凸显的优势。

业内人士向媒体表示：“台积电和SK海力士的联手，是因为决心在人工智能半导体市场上巩固对三星电子的竞争优势。”“三星电子的司法风险虽已部分解决，但仍存在不确定性，面临着巨大的挑战。”

半导体行业正迅速演变，这类重大合作预计将在塑造人工智能技术未来的过程中发挥关键作用。

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