据悉，本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，将为武汉基地构建全链条生产能力、加速通线量产奠定坚实根基。
（来源：中国光谷）
长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。
目前，长飞先进武汉基地项目正加快推进建设并对设备进行安装调试，预计2025年5月实现量产通线。
来源：芯片说 IC TIME
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