韩国存储器大厂SK海力士宣布，该公司已经成功开发出全球首次采用第六代10纳米级制程技术的16GbDDR5 DRAM。另外，SK海力士还展现了10纳米等级的超微细化存储制造技术。

SK海力士强调，随着10纳米级DRAM技术的世代传承，微细技术的难度也随之加大。但是，公司以获得业界最高性能认可的第五代 （1b） 技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在2024年内完成1c制程技术的DDR5 DRAM的量产准备，从2025年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。

SK海力士以1b制程技术的DRAM平台扩展方式开发了1c制程技术。SK海力士技术团队认为，如此不仅可以减少制程高度精细化过程中可能发生的错误尝试，还可以最有效的将受到认可的业界当中最高性能DRAM的1b制程技术优势转移到1c制程技术上。

而且，SK 海力士在部分EUV制程中开发并适用了新材料，也在整个制程中针对EUV适用制程进行了优化，借此以确保了成本竞争力。在此同时，在1c制程技术上也进行了设计技术革新，与前一代1b制程技术相较，其生产率提高了30%以上。

另外，此次1c制程技术的DDR5DRAM将主要用于高性能数据中心上，其执行速度为8Gbps，与前一代相较速度提高了11%，能效也提高了9%以上。而随着 AI 时代的到来，数据中心的耗电量在持续增加当中，如果云服务供应商的客户将 SK 海力士 1c DRAM 采用到数据中心上，则公司预测其电费最高能减少 30%。