采用321层堆叠技术,海力士展示UFS4.1闪存

ZAEKE知客 2024-08-09 18:11:39

日前,在全球存储会议FMS 2024峰会上,海力士展示了旗下的UFS 4.1闪存产品,容量分别为512GB和1TB,均基于321层堆叠的V9 1Tb TLC NAND闪存。

据了解,UFS是Universal Flash Storage(通用闪存存储)的缩写,代表一种广泛用于移动计算平台(手机、平板等)高性能接口。目前,UFS的最新版本为UFS 4.0,其发布于2022年,拥有高达46.4Gbps的理论接口速度。至于UFS 4.1标准,目前暂时还没公布。参考以往UFS标准的迭代规律,预计UFS 4.1将会在读写性能、功耗控制方面迎来提升。

值得一提的是,海力士还展示了用于SSD的2TB V9 QLC闪存,以及主要面向AI设备的1TB V9H TLC闪存。由此可知,海力士或许已经具备量产单颗2TB闪存的能力。不排除UFS 4.1标准公布之后,海力士将会推出2TB容量的UFS闪存。

0 阅读:405
评论列表
  • 2024-08-11 09:51

    终于出了,可惜我已经换手机了,下次换手机要很久。

ZAEKE知客

简介:让数码更懂你