大家都知道，半导体行业已经正常发展了大半个世纪，一直都是按着自己的路子稳稳当当往前走。可美国那边非要打破这个好好的平衡，对我们和俄罗斯下了芯片禁令，搞得全球半导体圈子都跟着动荡。

庆幸的是，老美的芯片封锁让我们明白了一个道理，那就是科技发展没有捷径可走，要下苦功夫研发，才能突破难关。俄罗斯那边也是，一看这形势，立马加大投资，铁了心要把芯片设备、材料等统统自己搞定，连光刻机这种高精尖设备都不放过。

说实话，我国的半导体产业跟西方比起来，确实有着不小的差距。这么多年，芯片大多要靠进口，进口的钱一年比一年多，有时候比买石油还花得多，前两年都飙到4000多亿美元了，这依赖程度，想想都吓人。

但好在这几年，我们的半导体产业可谓是蒸蒸日上，特别是美国一搞芯片禁令，我们更是把“买不如造”的念头扔得远远的，整个产业链上的企业都憋着一股劲儿自研，发展速度肉眼可见。

就拿中芯国际来说吧，一口气建了四个晶圆厂，产能噌噌往上涨，现在都成全球第三了，把联电、格芯都给超了。

根据最新公布的数据，我国大陆地区的芯片产量实现了显著提升，表现为进口量减少而出口量增加。尽管目前主要生产的仍是成熟制程芯片，但这一现象已充分展示了我国大陆芯片产业的迅猛发展势头，以及对外部依赖的逐步降低。

值得注意的是，不仅在成熟制程芯片领域取得了进步，在先进工艺芯片方面也同样实现了突破。其中，华为麒麟芯片成功实现自主生产，便是最为显著的例证。

让西方世界更为震惊的是，不久前我国工信部揭晓了一份重要设备推广清单，赫然在列的是两款国产光刻机，特别是其中一款采用氟化氩技术的光刻机，其先进性尤为突出，这无疑标志着我国国产光刻机技术取得了重大突破。

反观俄罗斯，在半导体领域的处境则显得更为艰难。其芯片制造能力大幅落后于国际水平，至于光刻机等核心半导体设备，更是几乎处于空白状态。与西方相比，乃至与我国相比，俄罗斯的差距都显得尤为显著，且已持续多年。

可俄罗斯也看清形势了，美欧这些西方国家封锁得紧，连英特尔、高通这些大厂都不给芯片了，台积电、三星这些代工的也不行，俄罗斯要想活下去，只能自个儿动手，从头开始搞研发。

近日，俄罗斯知名媒体CNews报道了一则重要消息，俄罗斯已决定投入超过2400亿卢布（折合约为24.6亿美元）的资金，以扶持国内半导体设备及技术的研发工作，其长远目标是到2030年实现约70%的国产半导体替代率。

在这一系列支持措施中，光刻机的自主研发被视为重中之重。据早前消息透露，俄罗斯正集中力量攻克130nm光刻机的技术难关，并预计将于2026年投入生产。

然而，这一计划也引发了外界的诸多疑虑，毕竟光刻机的研发与生产难度极大。

光刻机被誉为“工业皇冠上的明珠”，其复杂程度超乎想象。即便是全球光刻机领域的领军企业ASML，其生产的光刻机也依赖于来自全球多个国家的零部件供应。

据悉，一台光刻机的供应链极为复杂，涉及超过10万个精密元器件，这些元器件分别由全球30多个国家的超过5000家供应商提供，如美国的光源、德国的镜头、瑞士的机床等，缺一不可。

当初，当我国决定自主研发光刻机时，即便拥有全球最为完善的工业体系，ASML也曾认为这是一项不可能完成的任务。相比之下，俄罗斯的工业基础相对薄弱，因此其想要实现光刻机的国产替代，听起来更是天方夜谭。

在西方媒体普遍持观望甚至嘲讽态度之际，俄罗斯媒体却传来了一则振奋人心的消息：俄罗斯在光刻机研发领域取得了突破性进展，预计将于2026年启动准分子激光器的大规模生产，年产量可达5台130nm光刻机。

更令人瞩目的是，俄罗斯还规划了未来的发展蓝图，旨在支持90nm工艺，并预计到2030年能够自主生产出65nm或90nm级别的国产光刻系统。

尤为关键的是，俄罗斯官方已正式宣布，首台国产光刻机已成功制造并正处于严格的测试阶段，该设备能够稳定生产350nm的芯片。这一成就无疑证明了俄罗斯国产光刻机项目的真实性与可行性，而非空穴来风。

近年来，光刻机成为了美国实施技术制裁的重要工具，通过限制荷兰ASML、日本尼康和佳能等高端光刻机的出口，试图遏制我们在高端芯片领域的发展步伐。

然而，美国的如意算盘并未如愿以偿。不仅我们成功突破了国产光刻机的技术瓶颈，俄罗斯也在加速推进国产光刻机的研发进程。对此，有外媒直言不讳地指出，两大国的国产光刻机取得突破，意味着全球光刻机领域的格局已经悄然发生了反转！