美在芯片半导体技术方面领先，所以其一直都在利用芯片半导体优势，对具有威胁的厂商进行无端打压，华为等国内厂商就是其中之一。
华为5G技术领先后，美就要求运营商放弃华为5G设备和技术；华为推出5G双模芯片后，美就要求高通等厂商不能向华为出货芯片等产品，还限制台积电等厂商出货。
即便如此，美还在持续修改芯片规则，限制高通英特尔等向华为出货4G芯片等产品；拉上日荷签订三方协议，限制先进半导体设备出口。
消息称，美进一步修改芯片规则，就是要封锁14nm以下等先进工艺。
日前，美情报局表示对中国的出口管制可能导致该国在“低能力”芯片技术领域主导全球产业。
另外，中国正在新建的芯片工厂人将是美最大的威胁，而成熟工艺的芯片是很多设备和元器件采用的芯片工艺，中国未来将会成为主导，从而彻底解决卡脖子问题。
再加上，比尔盖茨也明确表示，美不可能阻止中国拥有强大性能的芯片，限制出口只会加速芯片本土产业链，从而让中国更快地拥有高性能芯片。
对此，就有外媒表示美限制国产芯片的结局清晰了，那就是不可能阻止中国芯，这让拜登始料未及，这主要是因为三个方面。
首先，国内芯片研发实力强大。
华为能够自研各种芯片，全球首款5G双模芯片，首款5GSoc等都是华为推出的，华为还自研了PC芯片、服务器芯片、各种物联网芯片。
麒麟9000堪称当时最优秀的5GSoc，芯片规则修改后，3nm等芯片依旧进行中。
另外，国内厂商纷纷自研芯片，还是基于RISC-V架构研发，台积电都表示工程师已经无法详细评估几家国内厂商芯片的综合算力。
数据显示，国内厂商将主导RISC-V芯片，基于该架构的7nm/6nm等芯片已经上市。
其次，国产芯片半导体设备取得突破。
国内在芯片制造和半导体设备方面也得了很多突破，14nm工艺实现了规模量产，N+1工艺实现了小规模量产，即便是7nm工艺也完成了研发任务。
光刻机是生产制造芯片必要设备，国产光刻机已经突破了90nm，消息称，上海微电子28nm精度的光刻机已经取得技术验证，预计量产时间不会太远。
另外，国产倒片机、蚀刻机等设备，最高已经突破到5nm。
用中芯国际的话说，在国产等设备的加持下，28nm等工艺的风险再度降低，中芯国际也鲜先后投资超1500亿元,扩大28nm等芯片的产能。
最后，ASML等坚持向国内出货。
美持续修改规则，但ASML依旧继续向国内1980Di型号的DUV光刻机，在多重曝光技术下，其可以用将芯片缩小至7nm。
也就是说，ASML坚持出货的光刻机，正好能够满足国内厂商目前发展的需求，更何况，国内厂商目前主要精力和产能放在28nm等成熟工艺方面。
所以外媒才说美限制国产芯的结局清晰了，拜登始料未及。对此，你们怎么看。
