有小伙伴私聊我让我出一期关于变压器隔离的MOS管驱动电路的文章，今天VBsemi小编就来讲一讲这个关于变压器隔离的MOS管驱动电路的原理。

变压器隔离驱动电路主要是基于电磁感应定律和电绝缘隔离实现的。

具体来说就是当在变压器的原边绕组施加交流电压时，原边绕组中会产生交变电流，该电流会在铁芯中形成交变磁场。

根据电磁感应定律，交变磁场会在副边绕组中感应出电动势，从而实现了电压从原边到副边的传递，其电压关系满足V1/V2 = N1/N2。（其中V1、V2分别是原边和副边的电压幅值，N1、N2分别是原边和副边的绕组匝数）

下面我们来看变压器隔离驱动电路（如图）

从IC（控制模块）发出一个PWM占空比信号，来控制变压器的一个初级线圈，从而产生自感，再互感到次级线圈。

当初级线圈的同名端为正，次级线圈的同名端为正。

这个时候变压器的次级线圈（上面）通过正极和R2来驱动mos管。因为R2这里是高电位，这个时候高电压就流过mos管，mos管导通。

次级线圈（下面的）连接R3的一端为负时，R3这里的电压比较低，mos管就通过R7放电，这个时候的mos管是截止的。

当占空比信号为低电平时，初级线圈的同名端为负。次级线圈同名端也为负,这时次级线圈（连接R3一端）为正，通过R7驱动mos管，mos管（下面的）导通，（上面的次级线圈同名端为负时）上面的mos管则是关断的。

因此，当IC发出占空比信号为高电平的时候，上面的mos管导通，下面的截止。为低电平时上面的mos管截止，下面的导通。

占空比信号通过变压器后，让两个mos管交替导通，这样就把高低电压进行了隔离，防止高低压干扰。