近日,在工业和信息化部发布的资料中,大家看到两台国产氟化氩光刻机。
其中一台写着晶圆直径300mm,波长248nm,分辨率≤110nm,套刻精度是≤25nm。
而另一台写着晶圆直径300mm,波长193nm,分辨率≤65nm,套刻精度≤8nm。
如上图所示,由于第二台写着套刻精度≤8nm,于是很多网友就觉得,通过多重曝光之后,这台光刻机,能生产8nm或以下的芯片,因为套刻精度,决定的就是芯片工艺。
一时之间,越传越神,什么国产8nm光刻机就来了,搞得一些人很是沸腾,因为国内苦光刻机已久,而ASML的EUV不卖给我们,DUV也限制了一些浸润式,如果我们有自己的8nm光刻机,情况将会完全不一样。
那么这台光刻机,究竟和8nm有没有关系,是什么关系?
大家先要搞清楚,套刻精度是个什么样的指标。
在将芯片图案曝光到晶圆前,必须晶圆进行精准量测,而测量需要时间,曝光也需要时间,所以ASML后来推出了双工作台系统。
这两个工作台,一次放两块晶圆,一个平台上的晶圆正在曝光时,另一个晶圆被装到二号平台进行对准和测量,两个工作台轮流工作,这样来节省时间。
既然是双工作台,那么两个工作台相互对准之间的精度,就叫做Overlay——套刻精度。
同时套刻精度还有三种,比如ASML的NXT 1980Di,有三个套刻精度,OPO≤3.5nm,DCO≤1.6nm,MMO≤2.5nm。
OPO指产品本身的套刻精度,指的是上次曝光和现在的对齐精度。DCO同一台设备自己套自己的精度,MMO不同设备之间的套刻精度。
OPO还是DCO,还是MMO,这几个参数共同决定了你能不能用多曝工艺,以及量产之后的曝光图形的一致性,和上下层最终的对准精度。
套刻精度,代表的其实多重曝光之间的误差值,误差越小,良率越高,就可以多曝光几次,误差越大,良率越低,就无数多重曝光。
按照ASML的定义,给大家看一个图,是ASML一些典型光刻机的制程、分辨率、套刻精度等的参数指标图。
大家可以看到,在ASML的XT1250这种制造90nm芯片的光刻机上,MMO套刻精度就是6nm,分辨率是小于70nm的。
从这张图也可在判断出,国产的这台氟化氩光刻机,其实和8nm没有一毛钱的关系。上面写着分辨率是小于等于65nm,光源是193nm,我们仔细对标一下,最多对标的是ASML的XT1470,可能还不一定行,而这台光刻机最多只能制造65nm的芯片。
所以,大家别沸腾了,别将套刻精度,和芯片工艺对应起来,这两者完全不是一回事。
从无到有就是很大的进步了!从有到精,就是不断的改进,追求更高的工艺过程!
两岸猿声啼不住,轻舟已过万重山。
沸腾是看到我们的技术在进步。和别人有差距就应该消沉吗?小编
那也很厉害了,对标XT1470是对方2020年才推出的产品啊。全球有几个? 就怕又是吹牛逼,或产品质量如何。
这个小编在胡扯,这台机子性能参ASML1460K,分辨率都是65nm,套刻精度5nm。分辨率65,可以造14nm的芯片,套刻精度8,可以造22nm的芯片,所以这台机器,造28nm芯片绰绰有余,稍加改进就可以造14nm
我为国家科技事业的每一点进步欢喜,即使还有差距,只要不重复运十的神操作,努力坚持自研总能赶上甚至超过。因为前面我们打破了太多欧美的高科技神话。
还是小便的脑子清醒,谢谢你的澄清,让我们知道我们无法突破光刻机,然后你很开心,脑壳破了,一下子进水了,我们都很痛心失去你这样一个清醒的人了
有平台就有希望,就有不断追赶的机会,在美西方技术的全面围堵下现在做到这样已是巨大进步,后续将不断改进,asml不也是这样一步一步变成现在这样的?!有的人就喜欢装冷静破凉水,你说的难道我们的技术人员不知道吗?
中国公布的,不一定是最先进的
1980哪来的三种套刻精度
国产化率是多少?100%?
就问一句:能自己制造同类机器的国家有几个?
先有了再说,是不是最先进的不是最迫切的!开了头就好办了![敲打]
聊个毛,193nm光刻机对应的是28nm工艺。
无论中国出什么东西,都有一群狗出来说这不行那不行,想想中国什么时候才开始搞光刻机,当年你爹不是说给图纸中国也搞不出来的吗。
有个叠层技术,你不知道吗
发言的都是内行,咱看看热闹还是不明白。
你想要钓鱼吗?这东西现在属于国家机密,懂的不会跟你说, 跟你说的都是不懂的。真想知道你就关注一下国家进出口芯片的量就一目了然了。美国急了 荷兰也急了 你在这说不要沸腾?一句sb送给你不过分吧?