韩国媒体报道，科技大厂三星电子正逐步缩减其一度雄心勃勃的晶圆代工业务，转而将资源集中在市场急需的AI内存芯片发展上。根据韩国中央日报的报道，对于三星电子这样的举动，坦白说，它别无选择。

事实上，在事前的第三季财报电话会议上，三星就暗示，未来将与其他芯片制造商合作生产高带宽存储器芯片（ HBM）芯片。另外，也承认其动态随机存取存储器（DRAM）芯片的良率令人失望。

三星电子执行副总裁金在俊（Kim Jae-june）于电话会议中表示，我们正在为多个客户准备定制化的HBM。因为满足 HBM 客户的需求非常重要，因此无论是内部，还是外部，我们将灵活选择晶圆代工合作伙伴来制造基础芯片。而会有这样的规划，是三星在半导体代工上的良率一直令人担忧。然而，晶圆代工业务的竞争力很大程度上取决于良率，即每片晶圆可生产出多少晶粒，这直接关系到制造成本和速度。因此，三星才会决定寻求晶圆代工合作伙伴的合作。

过去，三星曾强调其在AI芯片领域的「一站式」 服务，提供内存芯片、晶圆代工和先进封装等完整服务。但现在为了赢得市场最大HBM客户-英伟达的订单，正在放弃这一核心策略。韩国新英证券半导体分析师朴相旭就表示，三星未来将与台积电可能合作，而这将是一项史无前例的作法，这代表三星的晶圆代工业务因无法改善良率问题，使得技术不受HBM主要客户青睐。而一但确定将晶圆代工业务外包给台积电之后，在自己同时也有一个晶圆代工部门的情况下，这将造成三星严重信心打击。但目前它别无选择，只能听取客户的需求。

报道指出，尽管三星表示，目前正在向多个客户供应HBM3E芯片，但尚未确定获得AI芯片龙头英伟达的认证通过，以提供目前囊括AI处理器市场至少80%占比的英伟达订单需求。反观，英伟达已经与SK海力士建立了密切的合作伙伴关系，目前SK海力士几乎独占英伟达HBM产品的供应。加上，台积电被英伟达供应链深度依赖，藉以生产其AI芯片，并与SK海力士的HBM进行封装的情况下，三星不论在哪一方面都处于劣势。尤其，SK海力士2024年也宣布与台积电进一步合作，共同开发第六代HBM，也就是HBM4的基础DRAM晶粒，计划于2025年下半年交付客户，这使得三星受大的威胁。

报道引用一位市场人士的说法表示，三星与台积电合作，将可能是加入英伟达生态系统的唯一途径。然而，一但真的与台积电合作，则过去三星电子社长李在镕曾提出雄心勃勃的目标，也就是在2030年前赶超台积电，成为全球半导体制造龙头的目标将成为泡影。而实际上，截至2024年第二季，三星在晶圆代工方面的营收市场占比为11.5%，远远落后于台积电的62.3%，这情况也离成为全球半导体制造龙头的目标越来越远。

报道强调，晶圆代工业务状况不好也被指为三星第三季业绩不佳的主要原因之一。该部门估计将亏损1.5万亿韩元（约10.9亿美元），加上负责芯片设计的LSI部门，整个拖累了整个半导体业务获利。而且，尽管三星承诺美国政府在美国德州泰勒市斥资230亿美元，建设先进芯片制造设施。但由于良率不佳，三星未能吸引主要客户，使三星已经将运营时间从最初计划的2024年，延迟到2026年。

而对于晶圆代工业务在第三季缴出这样的成绩单，三星宣布2024年将缩减晶圆代工的资本支出，以提高投资效率。另外，也将积极发展将于明年开始量产的2纳米制程技术，期望借此进一步带动业绩反弹。