10月28日，韩国媒体《文化日报》发表文章称，尽管受到美国的严厉制裁，中国仍在加快“尖端半导体崛起”的步伐。随着用于汽车和电子产品的通用半导体产量的扩大以及对世界市场的控制，在一直被认为是韩国专属领域的存储半导体市场上，中国也在紧追不舍。特别是，中国正在缩小韩国主导的DRAM、NAND闪存和高带宽存储器（HBM）等领域的技术差距。

据半导体行业消息，中国最大的存储芯片公司长鑫存储明年第四季度晶圆产能份额预测为15.4%，较今年第四季度增长3.6个百分点。这与全球排名第三的美国美光（17.4%）相当，韩国业界解读为与三星电子和SK海力士、美光的三强格局即将出现裂痕。

长鑫存储主要生产DRAM也在快速升级。去年，19纳米约占产量的90%，但在一年内通过快速工艺转型将其提高到目前的17纳米，并宣布明年量产16纳米。与已经完成第六代10纳米级开发的三星电子和SK海力士相比，虽然还存在3代左右的差距，但韩国业界普遍认为，还没有到可以掉以轻心的地步。

工艺技术差距也在迅速缩小。长鑫存储今年早些时候宣布开发采用全环绕栅极（GAA）设计的下一代3纳米级DRAM。三星电子是唯一一家将GAA商业化的公司，该技术被认为是克服晶体管性能下降的“游戏规则改变者”，成立于2016年的长鑫存储已宣布获得该技术。这是在没有极紫外线（EUV）曝光设备的情况下完成的。此外，长鑫存储还在低功耗半导体（LPDDR）领域完成了第六代开发，该领域的需求因近期人工智能（AI）热潮而不断增加，将与韩国公司的差距缩小到仅一代。

据评估，韩国和中国的NAND技术差距为2年，比DRAM（5年）更具威胁性。中国长江存储于2022年底将232层3D NAND商业化，并与三星和SK海力士同期成功实现200层规模生产。

韩国专家们一致认为，迫切需要采取全面应对措施，包括补贴、税收支持和基础设施投资。韩国经济人协会经济产业本部部长李相浩表示，“半导体是一个如果错过投资时机就很难在繁荣时期获利的领域。如果不想重蹈东芝和英特尔的覆辙，至少应该谋求全球主要国家水平的政策支援。”