近日，一则关于国产光刻机的重大突破消息引起了广泛关注。据工业和信息化部发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》显示，我国已经研发出两款具有先进水平的光刻机，分别是氟化氪光刻机和氟化氩光刻机。其中，氟化氩光刻机的套刻精度达到了≤8纳米，这无疑是我国科技实力的一大跃升。

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  然而，尽管这一成就令人振奋，但我们必须清醒地认识到，与国际顶尖的光刻机技术相比，我国的光刻机技术还有一定的差距。目前全球最先进的光刻机，如阿斯麦的“EXE:5000”，其采用的13.5纳米极紫外光源，可以实现8纳米的分辨率，是面向3纳米制程的尖端设备。相比之下，我国的这款氟化氩光刻机在技术上还落后一代，尽管其性能已足够满足当前大部分芯片生产需求，但距离最先进的EUV光刻机仍有一段距离。